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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
静态存储器内存集成电路 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 9页 | 266K |  |
| 描述 | ||
| SRAM Card, 512KX16, 200ns, MOS | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 200 ns | JESD-30 代码： | X-XXMA-X68 |
| 内存密度： | 8388608 bit | 内存集成电路类型： | SRAM CARD |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 68 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 55 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512KX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | UNSPECIFIED |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 最小待机电流： | 2.6 V |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | MOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MF31M1-LKDAT01 | MITSUBISHI | SRAM Card, 512KX16, 200ns, MOS |
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|
| MF31M1-LKDATAM | MITSUBISHI | SRAM Card, 1MX8, 200ns, CMOS |
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| MF31M1-LKDATBM | MITSUBISHI | SRAM Card, 1MX8, 200ns, CMOS |
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|
| MF31M1-LKDATWP | MITSUBISHI | 暂无描述 |
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| MF31M1-LKDATXX | MITSUBISHI | SRAM Card, 1MX8, 200ns, MOS |
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| MF31M1-LSDAT00 | MITSUBISHI | SRAM Card, 1MX8, 200ns, MOS |
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