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三菱 - MITSUBISHI | 静态存储器内存集成电路 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
8页 | 273K | |
描述 | ||
SRAM Card, 512KX16, 200ns, MOS |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 200 ns |
JESD-30 代码: | X-XXMA-X60 | 内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | SRAM CARD | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 60 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 50 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | UNSPECIFIED | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Not Qualified |
最小待机电流: | 2.6 V | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | MOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UNSPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
MF31M1-M6DAPXX | MITSUBISHI | SRAM Card, 512KX16, 200ns, MOS |
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MF3256-M6DAP | MITSUBISHI | SRAM Card, 256KX8, 200ns, MOS |
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MF3256-MLDAP | MITSUBISHI | SRAM Card, 256KX8, 200ns, MOS |
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MF3256-MLDAP00 | MITSUBISHI | SRAM Card, 256KX8, 200ns, MOS |
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MF3256-MLDAP01 | MITSUBISHI | SRAM Card, 256KX8, 200ns, MOS |
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MF3256-MLDAPXX | MITSUBISHI | SRAM Card, 256KX8, 200ns, MOS |
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