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MF3129-L2DAT

更新时间: 2024-11-24 14:53:19
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 290K
描述
SRAM Card, 128KX16, 200ns, MOS

MF3129-L2DAT 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:200 ns其他特性:BATTERY BACK-UP; WRITE PROTECT
JESD-30 代码:X-XXMA-X68内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:SRAM CARD内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:68字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:55 °C最低工作温度:
组织:128KX16输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:UNSPECIFIED封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2.6 V最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:MOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIEDBase Number Matches:1

MF3129-L2DAT 数据手册

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