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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.8 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 10 V |
| 配置： | COMPLEX | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G16 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN AND PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MDG01TR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 10V V(BR)CEO, 6-Element, NPN and PNP, Silicon |
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| MDG02TL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 10V V(BR)CEO, 6-Element, NPN and PNP, Silicon |
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| MDG02TR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 10V V(BR)CEO, 6-Element, NPN and PNP, Silicon |
|
| MDG06TL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 10V V(BR)CEO, 6-Element, NPN and PNP, Silicon |
|
| MDG06TR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 10V V(BR)CEO, 6-Element, NPN and PNP, Silicon |
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| MDG07TL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 6-Element, NPN and PNP, Silicon |
|
| MDG07TR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 6-Element, NPN and PNP, Silicon |
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| MDG110A | LIUJING |
获取价格 |
可控硅、晶闸管 |
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| MDG160A | LIUJING |
获取价格 |
可控硅、晶闸管 |
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| MDG200A | LIUJING |
获取价格 |
可控硅、晶闸管 |
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