5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G14 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.82 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 10 V |
| 配置： | 2 BANKS, COMMON EMITTER, 3 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G14 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 14 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN AND PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MDC03T2 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 10V V(BR)CEO, 6-Element, NPN and PNP, Silicon |
|
| MDC03TL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 10V V(BR)CEO, 6-Element, NPN and PNP, Silicon |
|
| MDC03TR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 10V V(BR)CEO, 6-Element, NPN and PNP, Silicon |
|
| MDC04TL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 3-Element, PNP, Silicon |
|
| MDC04TR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 3-Element, PNP, Silicon |
|
| MDC05TR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 6-Element, NPN and PNP, Silicon |
|
| MDC080A | EIC |
获取价格 |
DIODE MODULES |
|
| MDC080A_07 | EIC |
获取价格 |
DIODE MODULES |
|
| MDC-1.2 | ETC |
获取价格 |
Dry-Type Multiple-Disk EM Clutch |
|
| MDC-10 | ETC |
获取价格 |
Dry-Type Multiple-Disk EM Clutch |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
