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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> MCR310-10-L
MCR310-10-L PDF预览

MCR310-10-L

更新时间： 2024-11-18 13:11:23
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 89K
描述
10A, 800V, SCR, TO-220AB

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MCR310-10-L 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.7Is Samacsys：N
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：0.2 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：6 mAJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：110 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：10 A
重复峰值关态漏电流最大值：10 µA断态重复峰值电压：800 V
重复峰值反向电压：800 V表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

MCR310-10-L 数据手册

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by MCR310/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Reverse Blocking Triode Thyristors  
. . . designed for industrial and consumer applications such as temperature, light and  
speed control; process and remote controls; warning systems; capacitive discharge  
circuits and MPU interface.  
•
•
•
Center Gate Geometry for Uniform Current Density  
All Diffused and Glass-Passivated Junctions for Parameter Uniformity and Stability  
Small, Rugged, Thermowatt Construction for Low Thermal Resistance, High Heat  
Dissipation and Durability  
SCRs  
10 AMPERES RMS  
50 thru 800 VOLTS  
•
Low Trigger Currents, 200 µA Maximum for Direct Driving from Integrated Circuits  
G
C
A
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Forward and Reverse Blocking  
(1)  
Voltage  
V
DRM  
or  
Volts  
(T = –40 to 110°C)  
(1/2 Sine Wave, R  
GK  
V
RRM  
J
= 1 kΩ)  
MCR310-2  
MCR310-3  
MCR310-4  
MCR310-6  
MCR310-8  
MCR310-10  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
K
CASE 221A-04  
(TO-220AB)  
STYLE 3  
A
G
On-State RMS Current (T = 75°C)  
I
10  
Amps  
Amps  
C
T(RMS)  
Peak Non-repetitive Surge Current  
I
100  
TSM  
(1/2 Cycle, 60 Hz, T = –40 to 110°C)  
J
2
I t  
2
A s  
Circuit Fusing (t = 8.3 ms)  
40  
Peak Gate Voltage (t  
Peak Gate Current (t  
Peak Gate Power (t  
Average Gate Power  
10 µs)  
10 µs)  
10 µs)  
V
±5  
Volts  
Amp  
Watts  
Watt  
°C  
GM  
I
1
GM  
P
GM  
5
0.75  
P
G(AV)  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
–40 to +110  
–40 to +150  
8
J
T
°C  
stg  
Mounting Torque  
–
in.-lb.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
2.2  
60  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
R
θJC  
θJA  
1. V  
and V for all types can be applied on a continuous basis. Ratings apply for zero or  
RRM  
DRM  
negative gate voltage; however, positive gate voltage shall not be applied concurrent with  
negative potential on the anode. Blocking voltages shall not be tested with a constant current  
source such that the voltage ratings of the devices are exceeded.  
Motorola, Inc. 1995  
1234

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与MCR310-10-L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MCR310-10-S MOTOROLA

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
MCR310-10-T MOTOROLA

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 		10A, 800V, SCR, TO-220AB
MCR310-10-U MOTOROLA

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
MCR310-10-U2 MOTOROLA

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 		10A, 800V, SCR, TO-220, 2 PIN
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 		10A, 800V, SCR, TO-220AB
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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
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 		10A, 50V, SCR, TO-220AB, TO-220, 2 PIN
MCR310-2-A MOTOROLA

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
MCR310-2-A16A MOTOROLA

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-220, 3 PI
MCR310-2-AC MOTOROLA

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