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MCQD04N06

更新时间： 2024-04-09 19:00:59

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美微科 - MCC		/
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6页	2560K
描述
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MCQD04N06 数据手册

MCQD04N06

Electrical Characteristics @ 25°C (Unless Otherwise Specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Static Characteristics

V_(BR)DSSV_GS=0V, I_D=250µA

Drain-Source Breakdown Voltage

Gate-Source Leakage Current

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate-Threshold Voltage

µA

I_GSS

I_DSS

V_DS=0V, V_GS=±20V

V_DS=60V, V_GS=0V

V_DS=V_GS, I_D=250µA

V_GS=10V, I_D=4A

±100

V_GS(th)

0.9

1.3

2.5

R_DS(on)

mΩ

Drain-Source On-Resistance

V_GS=4.5V, I_D=2A

) ꢁꢀ0+]ꢂꢀ2SHQꢀGUDLQ

V_DS=5V,I_D=2A

5_J

*DWHꢀ5HVLVWDQFH

g_fs

Forward Transconductance

Diode Characteristics

I_S

V_SD

t_rr

Continuous Body Diode Current

Diode Forward Voltage

V_GS=0V, I_S=4A

1.2

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

I_F=4A, di/dt=500A/us

Q_rr

Dynamic Characteristics

C_iss

C_oss

C_rss

Q_g

Input Capacitance

400

V_DS=30V,V_GS=0V,f=1MHz

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Total Gate Charge

V_DS=30V,V_GS=10V,I_D=4A

Q_gs

Q_gd

t_d(on)

t_r

Gate-Source Charge

Gate-Drain Charge

Turn-On Delay Time

Turn-On Rise Time

Turn-Off Delay Time

Turn-Off Fall Time

2.5

4.5

V_GS=10V,V_DD=30V,

I_D=4A, R_GEN=2.3Ω

t_d(off)

t_f

12.5

1.5

Rev.4-1-08012023

2/6

MCCSEMI.COM

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