MCP663

更新时间： 2024-02-18 19:30:14

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美国微芯 - MICROCHIP		运算放大器
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42页	795K
描述
60 MHz, 6 mA Op Amps

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MCP663 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	3.90 MM, LEAD FREE, PLASTIC, SOIC-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.33.00.01	Factory Lead Time：	8 weeks
风险等级：	2.03	放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：	VOLTAGE-FEEDBACK	最大平均偏置电流 (IIB)：	0.005 µA
标称共模抑制比：	79 dB	频率补偿：	YES
最大输入失调电压：	8000 µV	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	长度：	4.9 mm
低-偏置：	YES	低-失调：	NO
微功率：	NO	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	8
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
功率：	NO	电源：	3/5 V
可编程功率：	NO	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	标称压摆率：	32 V/us
子类别：	Operational Amplifier	最大压摆率：	9 mA
供电电压上限：	6.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
标称均一增益带宽：	60000 kHz	最小电压增益：	25100
宽带：	NO	宽度：	3.9 mm
Base Number Matches：	1

MCP663 数据手册

MCP661/2/3/5

† Notice: Stresses above those listed under “Absolute

Maximum Ratings” may cause permanent damage to the

device. This is a stress rating only and functional operation of

the device at those or any other conditions above those

indicated in the operational listings of this specification is not

implied. Exposure to maximum rating conditions for extended

periods may affect device reliability.

1.0

1.1

ELECTRICAL

CHARACTERISTICS

Absolute Maximum Ratings †

V_DD– V_SS.......................................................................6.5V

Current at Input Pins ....................................................±2 mA

Analog Inputs (V_IN+ and V_IN–) †† . V_SS– 1.0V to V_DD+ 1.0V

All other Inputs and Outputs .......... V_SS– 0.3V to V_DD+ 0.3V

Output Short Circuit Current ................................Continuous

Current at Output and Supply Pins ..........................±150 mA

Storage Temperature ...................................-65°C to +150°C

Max. Junction Temperature ........................................+150°C

ESD protection on all pins (HBM, MM) ................≥ 1 kV, 200V

†† See Section 4.1.2 “Input Voltage and Current Limits”.

1.2

Specifications

TABLE 1-1:

DC ELECTRICAL SPECIFICATIONS

Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated, T_A= +25°C, V_DD= +2.5V to +5.5V, V_SS= GND, V_CM= V_DD/3,

V_OUT≈ V_DD/2, V_L= V_DD/2, R_L= 1 kΩ to V_Land CS = V_SS(refer to Figure 1-2).

Conditions

Parameters

Sym

Min

Typ

Max

Units

Input Offset

Input Offset Voltage

V_OS

-8

—

±1.8

±2.0

—

Input Offset Voltage Drift

Power Supply Rejection Ratio

Input Current and Impedance

Input Bias Current

ΔV_OS/ΔT_A

PSRR

µV/°C T_A= -40°C to +125°C

I_B

—

Across Temperature

130

T_A= +85°C

Across Temperature

I_B

1700

5,000

—

T_A= +125°C

Input Offset Current

I_OS

Z_CM

Z_DIFF

±10

Common Mode Input Impedance

Differential Input Impedance

Common Mode

10¹³||9

10¹³||2

—

Ω||pF

—

Common-Mode Input Voltage Range

Common-Mode Rejection Ratio

V_CMR

CMRR

V_SS− 0.3

—

V_DD− 1.3

(Note 1)

—

V_DD= 2.5V, V_CM= -0.3 to 1.2V

V_DD= 5.5V, V_CM= -0.3 to 4.2V

Open Loop Gain

DC Open Loop Gain (large signal)

A_OL

117

126

—

V_DD= 2.5V, V_OUT= 0.3V to 2.2V

V_DD= 5.5V, V_OUT= 0.3V to 5.2V

Output

Maximum Output Voltage Swing

V_OL, V_OHV_SS+ 25

_OL, V_OHV_SS+ 50

—

V_DD− 25

V_DD− 50

V_DD= 2.5V, G = +2,

0.5V Input Overdrive

V_DD= 5.5V, G = +2,

0.5V Input Overdrive

Output Short Circuit Current

I_SC

±45

±40

±90

±80

±145

±150

V_DD= 2.5V (Note 2)

V_DD= 5.5V (Note 2)

Power Supply

Supply Voltage

V_DD

I_Q

2.5

—

5.5

Quiescent Current per Amplifier

No Load Current

Note 1: See Figure 2-5 for temperature effects.

2: The I_SCspecifications are for design guidance only; they are not tested.

DS22194A-page 3

1 234 5 6 7...42

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MCP663/T-E/SN	MICROCHIP	暂无描述	获取价格
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