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MCP663

更新时间： 2024-02-28 07:34:31
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 运算放大器
页数 文件大小 规格书
42页 795K
描述
60 MHz, 6 mA Op Amps

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MCP663 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：3.90 MM, LEAD FREE, PLASTIC, SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：2.03放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：VOLTAGE-FEEDBACK最大平均偏置电流 (IIB)：0.005 µA
标称共模抑制比：79 dB频率补偿：YES
最大输入失调电压：8000 µVJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.9 mm
低-偏置：YES低-失调：NO
微功率：NO湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
功率：NO电源：3/5 V
可编程功率：NO认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm标称压摆率：32 V/us
子类别：Operational Amplifier最大压摆率：9 mA
供电电压上限：6.5 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
标称均一增益带宽：60000 kHz最小电压增益：25100
宽带：NO宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

MCP663 数据手册

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MCP661/2/3/5  
2.0  
TYPICAL PERFORMANCE CURVES  
Note:  
The graphs and tables provided following this note are a statistical summary based on a limited number of  
samples and are provided for informational purposes only. The performance characteristics listed herein  
are not tested or guaranteed. In some graphs or tables, the data presented may be outside the specified  
operating range (e.g., outside specified power supply range) and therefore outside the warranted range.  
Note: Unless otherwise indicated, TA = +25°C, VDD = +2.5V to 5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/3, VOUT = VDD/2,  
VL = VDD/2, RL = 1 kΩ to VL, CL = 20 pF and CS = VSS  
.
2.1  
DC Signal Inputs  
22%  
20%  
18%  
16%  
14%  
12%  
10%  
8%  
6%  
4%  
2%  
0%  
1.4  
1.3  
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
100 Samples  
TA = +25°C  
VDD = 2.5V and 5.5V  
Representative Part  
VDD = 5.5V  
VDD = 2.5V  
-6 -5 -4 -3 -2 -1  
0
1
2
3
4
5
6
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5  
Output Voltage (V)  
Input Offset Voltage (mV)  
FIGURE 2-1:  
Input Offset Voltage.  
FIGURE 2-4:  
Input Offset Voltage vs.  
Output Voltage.  
24%  
0.0  
100 Samples  
DD = 2.5V and 5.5V  
TA = -40°C to +125°C  
1 Lot  
Low (VCMR_L – VSS  
22%  
20%  
18%  
16%  
14%  
12%  
10%  
8%  
6%  
4%  
2%  
0%  
V
)
-0.1  
-0.2  
-0.3  
-0.4  
-0.5  
VDD = 2.5V  
VDD = 5.5V  
-12 -10 -8 -6 -4 -2  
0
2
4
6
8
10 12  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100 125  
Ambient Temperature (°C)  
Input Offset Voltage Drift (µV/°C)  
FIGURE 2-2:  
Input Offset Voltage Drift.  
FIGURE 2-5:  
Low Input Common Mode  
Voltage Headroom vs. Ambient Temperature.  
0.0  
1.4  
Representative Part  
VCM = VSS  
1 Lot  
High (VDD – VCMR_H  
-0.2  
-0.4  
-0.6  
-0.8  
-1.0  
-1.2  
-1.4  
-1.6  
-1.8  
-2.0  
)
1.3  
1.2  
1.1  
1.0  
VDD = 2.5V  
+125°C  
+85°C  
+25°C  
-40°C  
VDD = 5.5V  
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5  
Power Supply Voltage (V)  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
Ambient Temperature (°C)  
FIGURE 2-3:  
Input Offset Voltage vs.  
FIGURE 2-6:  
High Input Common Mode  
Power Supply Voltage with V  
= 0V.  
Voltage Headroom vs. Ambient Temperature.  
CM  
© 2009 Microchip Technology Inc.  
DS22194A-page 7  
1...45678910...42

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