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MCMA25P1600TA

更新时间： 2024-01-05 09:38:35

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力特 - LITTELFUSE		栅栅极
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5页	391K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 25000mA I(T), 1600V V(RRM),

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MCMA25P1600TA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.24	最大直流栅极触发电流：	80 mA
最大直流栅极触发电压：	1.6 V	快速连接描述：	2G-2GR
螺丝端子的描述：	A-G-AK	最大维持电流：	100 mA
最大漏电流：	4 mA	通态非重复峰值电流：	430 A
最大通态电流：	25000 A	最高工作温度：	140 °C
最低工作温度：	-40 °C	重复峰值反向电压：	1600 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

MCMA25P1600TA 数据手册

MCMA25P1600TA

Thyristor

400

300

10³

V_R= 0 V

50 Hz, 80% V_RRM

T_VJ= 45°C

I_T

I²t

[A²s]

I_TSM

T_VJ= 45°C

[A]

T_VJ= 125°C

140°C

T_VJ= 140°C

[A]

200

T_VJ= 140°C

T_VJ= 25°C

100

10²

0.5

1.0

1.5

2.0

0.01

0.1

5 6 7 8 910

V_T[V]

t [s]

t [ms]

Fig. 3 I²t versus time (1-10 s)

Fig. 2 Surge overload current

I_TSM: crest value, t: duration

Fig. 1 Forward characteristics

100.0

10.0

1: I

, T = 140°C

GD VJ

2: I , T

GT VJ

25°C

3: I , T

GT VJ

-40°C

dc =

0.5

0.4

T_VJ= 25°C

0.33

0.17

0.08

V_G

[V]

t_gd

I_TAVM

[A]

lim.

typ.

[μs]

1.0

0.1

4: P

= 0.5 W

GAV

5: P

6: P

5 W

10 W

0.1

100

1000 10000

0.01

0.10

1.00

I_G[A]

10.00

120

160

I_G[mA]

T_case[°C]

Fig. 6 Max. forward current at

case temperature

Fig. 5 Gate controlled delay time t_gd

Fig. 4 Gate voltage & gate current

1.40

1.20

dc =

0.5

0.4

0.33

0.17

0.08

R_thHA

0.4

0.6

0.8

1.0

2.0

4.0

P_tot

[W]

1.00

Z_thJC

0.80

[K/W]

0.60

0.40

0.20

0.00

R_thi(K/W)

t_i(s)

0.0200

0.1300

0.2400

0.4700

0.3400

0.0004

0.0090

0.0140

0.0700

0.4000

100

1000

10000

T_amb[°C]

120

160

t [ms]

I_T(AV)[A]

Fig. 8 Transient thermal impedance junction to case

Fig. 7a Power dissipation versus direct output current

Fig. 7b and ambient temperature

IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.

Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified

20191209d

1 2 3 45

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