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MCMA200P1800YA-MI

更新时间： 2024-03-12 21:01:48
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
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5页 360K
描述
双晶闸管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。

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MCMA200P1800YA-MI 数据手册

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MCMA200P1800YA-MI  
Ratings  
Thyristor  
Symbol  
Definition  
typ. max.  
1900  
min.  
Conditions  
Unit  
V
VRSM/DSM  
VRRM/DRM  
TVJ = 25°C  
TVJ = 25°C  
TVJ = 25°C  
max. non-repetitive reverse/forward blocking voltage  
max. repetitive reverse/forward blocking voltage  
1800  
V
V
=
R/D  
V
1800  
I
300  
µA  
reverse current, drain current  
R/D  
VR/D =1800 V  
IT = 200 A  
IT = 400 A  
IT = 200 A  
IT = 400 A  
TC = 85°C  
180° sine  
TVJ  
=
°C  
10 mA  
140  
1.17  
V
VT  
forward voltage drop  
TVJ = 25°C  
V
V
1.40  
1.12  
1.41  
200  
TVJ  
=
°C  
125  
V
A
I
average forward current  
RMS forward current  
TVJ = 140°C  
TVJ = 140°C  
TAV  
315  
A
V
IT(RMS)  
VT0  
0.83  
threshold voltage  
for power loss calculation only  
slope resistance  
1.43 mΩ  
0.17 K/W  
K/W  
rT  
RthJC  
RthCH  
Ptot  
thermal resistance junction to case  
thermal resistance case to heatsink  
0.09  
TC = 25°C  
TVJ = 45°C  
VR = 0 V  
680  
6.00  
W
kA  
kA  
kA  
total power dissipation  
max. forward surge current  
t = 10 ms; (50 Hz), sine  
t = 8,3 ms; (60 Hz), sine  
t = 10 ms; (50 Hz), sine  
t = 8,3 ms; (60 Hz), sine  
t = 10 ms; (50 Hz), sine  
t = 8,3 ms; (60 Hz), sine  
t = 10 ms; (50 Hz), sine  
t = 8,3 ms; (60 Hz), sine  
VR = 400V f = 1 MHz  
tP = 30 µs  
ITSM  
6.48  
TVJ = 140°C  
VR = 0 V  
5.10  
5.51  
kA  
kA²s  
value for fusing  
TVJ = 45°C  
VR = 0 V  
I²t  
180.0  
174.7  
130.1  
126.3  
kA²s  
kA²s  
kA²s  
TVJ = 140°C  
VR = 0 V  
junction capacitance  
TVJ = 25°C  
TC = 140°C  
273  
pF  
W
W
W
CJ  
120  
60  
8
PGM  
max. gate power dissipation  
tP = 500 µs  
PGAV  
average gate power dissipation  
critical rate of rise of current  
TVJ = 140°C; f = 50 Hz  
repetitive, IT = 600 A  
100 A/µs  
(di/dt)cr  
0.5  
tP = 200 µs;diG /dt =  
A/µs;  
IG = 0.5A; V = ⅔ VDRM  
V = ⅔ VDRM  
non-repet., IT = 200 A  
TVJ = 140°C  
1000 A/µs  
1000 V/µs  
critical rate of rise of voltage  
gate trigger voltage  
(dv/dt)cr  
VGT  
RGK = ∞; method 1 (linear voltage rise)  
VD = 6 V  
TVJ = 25°C  
TVJ = -40°C  
TVJ = 25°C  
2.5  
2.6  
V
V
gate trigger current  
VD = 6 V  
150 mA  
200 mA  
IGT  
TVJ = -40°C  
TVJ = 140°C  
gate non-trigger voltage  
gate non-trigger current  
latching current  
VD = ⅔ VDRM  
0.2  
V
VGD  
IGD  
IL  
10 mA  
tp = 30 µs  
TVJ = 25°C  
300 mA  
IG  
=
0.5A; diG/dt = 0.5 A/µs  
holding current  
VD = 6 V RGK = ∞  
TVJ = 25°C  
TVJ = 25°C  
200 mA  
IH  
gate controlled delay time  
VD = ½ V  
2
µs  
tgd  
DRM  
IG  
VR = 100 V; IT = 200A; V = ⅔ VDRM TVJ =125 °C  
di/dt = 10 A/µs dv/dt = 20 V/µs µs  
=
0.5A; diG/dt = 0.5 A/µs  
turn-off time  
150  
µs  
tq  
tp = 200  
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified  
20190924a  
© 2019 IXYS all rights reserved  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MCMA200PD1600YB LITTELFUSE

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 		晶闸管二极管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
MCMA200PD1800YB LITTELFUSE

获取价格

 		晶闸管二极管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
MCMA240UI1600ED LITTELFUSE

获取价格

 		三相桥半控和全控系列提供各种封装和高达2200V的击穿电压。
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 		三相桥半控和全控系列提供各种封装和高达2200V的击穿电压。
MCMA25P1200TA LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 25000mA I(T), 1200V V(RRM),
MCMA25P1600TA LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 25000mA I(T), 1600V V(RRM),
MCMA25PD1200TB LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 25000mA I(T), 1200V V(RRM),
MCMA25PD1600TB LITTELFUSE

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 25000mA I(T), 1600V V(RRM),
MCMA260P1600YA IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 412A I(T)RMS, 262000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 E
MCMA260P1600YA LITTELFUSE

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 412A I(T)RMS, 262000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 E

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