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MCM2016HN45

更新时间: 2024-01-03 23:10:50
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 141K
描述
2KX8 CACHE SRAM, 45ns, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24

MCM2016HN45 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:24
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.91
最长访问时间:45 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T24
JESD-609代码:e0长度:31.69 mm
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.44 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:NMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

MCM2016HN45 数据手册

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