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MC7400

更新时间： 2024-02-27 23:05:52

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N-Channel 20V (D-S) MOSFET High performance trench technology

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MC7400 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	14
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.9	系列：	74
JESD-30 代码：	R-PDIP-T14	JESD-609代码：	e0
逻辑集成电路类型：	NAND GATE	功能数量：	4
输入次数：	2	端子数量：	14
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	传播延迟（tpd）：	29 ns
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	TTL
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

MC7400 数据手册

Freescale

AO7400/MC7400

Typical Electrical Characteristics (N-Channel)

TA = -55^oC

VDS = 5V

25^oC

125^oC

V_GS= 10V

6.0V

5.0V

4.0V

3.0V

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

V_DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 1. On-Region Characteristics

Figure 2. Body Diode Forward Voltage Variation

with Source Current and Temperature

700

600

500

400

300

200

100

f = 1MHz

V_GS

= 0 V

2.5

C_ISS

4.5V

1.5

10V

C_OSS

C_RSS

0.5

V_DS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

I_D, DRAIN CURRENT (A)

Figure 3. On Resistance Vs Vgs Voltage

Figure 4. Capacitance Characteristics

1.6

= 10V

I^D= 7A

I_D= 5.3A

15V

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-50 -25

100 125 150

Qg, Gate Charge (nC)

T_JJuncation Temperature (ºC)

Figure 5. Gate Charge Characteristics

Figure 6. On-Resistance Variation with Temperature

www.freescale.net.cn

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