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MC7402

更新时间： 2024-02-03 04:19:19

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描述
N-Channel 20V (D-S) MOSFET High performance trench technology

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MC7402 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIP, DIP14,.3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	JESD-30 代码：	R-PDIP-T14
JESD-609代码：	e0	逻辑集成电路类型：	NOR GATE
端子数量：	14	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP14,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	子类别：	Gates
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	TTL	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MC7402 数据手册

Freescale

AO7402/MC7402

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

These miniature surface mount MOSFETs utilize a

high cell density trench process to provide low

r_DS(on)and to ensure minimal power loss and heat

dissipation. Typical applications are DC-DC

converters and power management in portable and

battery-powered products such as computers,

printers, PCMCIA cards, cellular and cordless

telephones.

PRODUCT SUMMARY

V (V)

r_DS(on)(Ω)

I_D(A)

0.058 @V = 4.5 V 2.0

0.082 @V = 2.5V

1.7

•

Low r_DS(on)provides higher efficiency and

extends battery life

Low thermal impedance copper leadframe

SC70-3 saves board space

Fast switching speed

High performance trench technology

•

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 ^oC UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter Symbol Maximum Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

±8

2.0

1.7

±20

1.6

T_A=25 C

Continuous Drain Current^a

Pulsed Drain Current^b

I_D

T_A=70 C

I_DM

I_S

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

T_A=25 C

0.34

0.22

P_D

Power Dissipation

T_A=70 C

^oC

Operating Junction and Storage Temperature Range

T, T -55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol Maximum Units

t <= 5 sec

Steady-State

100

Maximum Junction-to-Ambient^a

^oC/W

R_THJA

166

Notes

Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Pulse width limited by maximum junction temperature

www.freescale.net.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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