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MC100EL07DR2

更新时间： 2024-11-20 03:08:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 逻辑集成电路石英晶振光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 75K
描述
2-Input XOR/XNOR

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MC100EL07DR2 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：PLASTIC, SOIC-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.42
其他特性：NECL MODE: VCC =0V WITH VEE = -4.2V TO -5.7V系列：100EL
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
长度：4.9 mm逻辑集成电路类型：XOR/XNOR GATE
功能数量：1输入次数：2
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出特性：OPEN-EMITTER
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE包装方法：TAPE AND REEL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：-4.5 V
最大电源电流（ICC）：20 mAProp。Delay @ Nom-Sup：0.435 ns
传播延迟（tpd）：0.395 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：1.75 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：5.7 V
最小供电电压 (Vsup)：4.2 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：ECL
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：3.9 mm

MC100EL07DR2 数据手册

 浏览型号MC100EL07DR2的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The MC10EL/100EL07 is a 2-input XOR/XNOR gate. The device is  
functionally equivalent to the E107 device with higher performance  
capabilities. With propagation delays and output transition times  
significantly faster than the E107 the EL07 is ideally suited for those  
applications which require the ultimate in AC performance.  
• 260ps Propagation Delay  
• High Bandwidth Output Transitions  
• 75kΩ Internal Input Pulldown Resistors  
• >1000V ESD Protection  
8
1
D SUFFIX  
PLASTIC SOIC PACKAGE  
CASE 751-05  
LOGIC DIAGRAM AND PINOUT ASSIGNMENT  
V
8
7
NC 1  
CC  
D
2
3
Q
Q
0
1
PIN DESCRIPTION  
FUNCTION  
6
D
PIN  
D0, D1  
Q
Data Inputs  
Data Outputs  
NC 4  
5 V  
EE  
DC CHARACTERISTICS (V  
= V (min) to V (max); V  
= GND)  
EE  
EE  
EE  
CC  
–40°C  
0°C  
25°C  
85°C  
Symbol  
Characteristic  
Min  
Typ Max  
Min  
Typ Max  
Min  
Typ Max  
Min  
Typ Max Unit  
I
Power Supply Current 10EL  
100EL  
14  
14  
17  
17  
14  
14  
17  
17  
14  
14  
17  
17  
14  
16  
17  
20  
mA  
EE  
V
EE  
Power Supply Voltage 10EL  
–4.94 –5.2 –5.5 –4.94 –5.2 –5.5 –4.75 –5.2 –5.5 –4.75 –5.2 –5.5  
V
100EL –4.20 –4.5 –5.5 –4.20 –4.5 –5.5 –4.20 –4.5 –5.5 –4.20 –4.5 –5.5  
I
IH  
Input HIGH Current  
D0  
D1  
250  
150  
250  
150  
250  
150  
250  
150  
µA  
AC CHARACTERISTICS (V  
= V (min) to V (max); V  
EE EE  
= GND)  
CC  
EE  
–40°C  
0°C  
25°C  
85°C  
Symbol  
Characteristic  
Min  
Typ  
Max  
Min  
Typ  
Max  
385  
350  
Min  
Typ  
Max  
Min  
Typ  
Max Unit  
t
t
Propagation Delay to  
Output  
PLH  
PHL  
90  
250  
225  
435  
350  
140  
100  
250  
150  
260  
225  
395  
350  
170  
280  
225  
415  
350  
ps  
ps  
t
r
t
f
Output Rise/Fall Times Q  
(20% – 80%)  
100  
225  
100  
100  
12/93  
Motorola, Inc. 1996  
REV 2  
12

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MC100EL07DR2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MC100EL07DR2G ONSEMI

类似代替

 5.0 V ECL 2-Input XOR/XNOR
MC100EL07DG ONSEMI

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 5.0 V ECL 2-Input XOR/XNOR
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 5.0 V ECL 2-Input XOR/XNOR

与MC100EL07DR2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MC100EL07DR2G ONSEMI

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 		5.0 V ECL 2-Input XOR/XNOR
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 		5.0 V ECL 2-Input XOR/XNOR
MC100EL07DTG ONSEMI

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 		5.0 V ECL 2-Input XOR/XNOR
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 		5.0 V ECL 2-Input XOR/XNOR
MC100EL07DTR2G ONSEMI

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 		5.0 V ECL 2-Input XOR/XNOR
MC100EL07MNR4 ONSEMI

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 		5.0 V ECL 2-Input XOR/XNOR
MC100EL07MNR4G ONSEMI

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 		5.0 V ECL 2-Input XOR/XNOR
MC100EL11 ONSEMI

获取价格

 		1:2 Differential Fanout Buffer
MC100EL11D MOTOROLA

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 		1:2 Differential Fanout Buffer
MC100EL11D ONSEMI

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 		5.0 V ECL 1:2 Differential Fanout Buffer

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