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MC100EL12DR2G

更新时间： 2024-11-20 05:22:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 驱动器栅极逻辑集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 144K
描述
5.0 V ECL Low Impedance Driver

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MC100EL12DR2G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.31
Is Samacsys：N其他特性：NECL MODE: VCC = 0V WITH VEE = -4.2V TO -5.7V
系列：100ELJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.9 mm
逻辑集成电路类型：OR/NOR GATE功能数量：1
输入次数：2端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：-4.5 V传播延迟（tpd）：0.45 ns
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
子类别：Other Logic ICs最大供电电压 (Vsup)：5.7 V
最小供电电压 (Vsup)：4.2 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：ECL
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

MC100EL12DR2G 数据手册

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MC10EL12, MC100EL12  
5.0 VꢀECL Low Impedance  
Driver  
The MC10EL/100EL12 is a low impedance drive buffer. With two  
pairs of OR/NOR outputs the device is ideally suited for high drive  
applications such as memory addressing. The device is a function  
equivalent to the E112 device with higher performance capabilities.  
With propagation delays significantly faster than the E112, the EL12 is  
ideally suited for those applications which require the ultimate in  
AC performance.  
http://onsemi.com  
MARKING  
DIAGRAMS*  
8
The 100 Series contains temperature compensation.  
8
1
8
1
Features  
• 290 ps Propagation Delay  
• Dual Outputs for 25 W Drive Applications  
HEL12  
KEL12  
ALYW  
G
SOIC−8  
D SUFFIX  
CASE 751  
ALYW  
G
1
• ESD Protection: Human Body Model; > 1.0 kV  
Machine Model; > 100 V  
8
8
8
• PECL Mode Operating Range: V = 4.2 V to 5.7 V with V = 0 V  
CC  
EE  
1
HL12  
ALYWG  
G
KL12  
ALYWG  
G
• NECL Mode Operating Range: V = 0 V with V = −4.2 V to −5.7 V  
CC  
EE  
TSSOP−8  
DT SUFFIX  
CASE 948R  
• Internal Input Pulldown Resistors  
• Meets or Exceeds JEDEC Spec EIA/JESD78 IC Latchup Test  
1
1
• Moisture Sensitivity Level 1  
For Additional Information, see Application Note AND8003/D  
• Flammability Rating: UL 94 V−0 @ 0.125 in,  
Oxygen Index: 28 to 34  
• Transistor Count = 44 devices  
• Pb−Free Packages are Available  
DFN8  
MN SUFFIX  
CASE 506AA  
1
4
1
4
H
K
MC10  
MC100  
L
= Wafer Lot  
= Year  
= Work Week  
= Date Code  
= Pb−Free Package  
Q
Q
Q
1
2
3
8
7
6
V
CC  
a
b
a
Y
W
M
G
4R MC10  
2F MC100  
A
= Assembly Location  
D
D
0
1
(Note: Microdot may be in either location)  
*For additional marking information, refer to  
Application Note AND8002/D.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
Q
4
5
V
EE  
b
Figure 1. Logic Diagram and Pinout Assignment  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
December, 2006 − Rev. 6  
MC10EL12/D  
12345678

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MC100EL12DR2G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MC100EL12DR2 ONSEMI

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MC100EL12DT ONSEMI

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 		5.0 V ECL Low Impedance Driver
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 		Dual 1:3 Fanout Buffer
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 		5V ECL Dual 1:3 Fanout Buffer
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