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MC-428LFG641FH-A60

更新时间： 2024-11-15 21:14:51

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		动态存储器
页数	文件大小	规格书
32页	288K
描述
EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, MOS, DIM-168

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MC-428LFG641FH-A60 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	,	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX64	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	MOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MC-428LFG641FH-A60 数据手册

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DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

MC-428LFG641

3.3 V OPERATION 8M-WORD BY 64-BIT DYNAMIC RAM MODULE

UNBUFFERED TYPE, EDO

Description

The MC-428LFG641 is a 8,388,608 words by 64 bits dynamic RAM module on which 8 pieces of 64M DRAM :

PD4265805 are assembled.

This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-

mounting technology on the printed circuit board.

Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.

Features

• Unbuffered type

• EDO (Hyper page mode)

• 8,388,608 words by 64 bits organization

• Fast access and cycle time

Family

Access time

(MAX.)

50 ns

R/W cycle time EDO (Hyper page mode)

Power consumption (MAX.)

(MIN.)

84 ns

cycle time (MIN.)

20 ns

Active

3.89 W

3.31 W

Standby

14.4 mW

MC-428LFG641-A50

MC-428LFG641-A60

60 ns

104 ns

25 ns

(CMOS level input)

• Refresh cycle

Family

Refresh cycle

4,096 cycles / 64 ms

Refresh

MC-428LFG641-A50

MC-428LFG641-A60

/RAS only refresh, Normal read / write, /CAS before /RAS refresh,

Hidden refresh

• 168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27 mm)

• Single +3.3 V ± 0.3 V power supply

• Serial PD

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. M11909EJ4V0DS00 (4th edition)

Date Published October 1997 NS

Printed in Japan

The mark shows major revised points.

1996

12 3 4 5 6 7...32

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MC-428LFH641FH-A60	NEC	获取价格	EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, MOS, DIM-168
MC-428LFH641FH-A60	RENESAS	获取价格	MEMORY MODULE,DRAM,EDO,8MX64,CMOS,DIMM,168PIN,PLASTIC
MC428P	MOTOROLA	获取价格	AND-OR Gate, TTL, PDIP14
MC429P	MOTOROLA	获取价格	Inverter, TTL, PDIP14
MC-42S1000LAD32SA-60	NEC	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72
MC-42S1000LAD32SA-80	NEC	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 80ns, CMOS, DIMM-72
MC-42S1LFD64SA-A60	NEC	获取价格	EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, MOS, DIM-144
MC-42S2LFB64SA-A60	NEC	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, MOS, DIM-144
MC-42S2LFB64SA-A70	NEC	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, MOS, DIM-144
MC-42S4000LAC32SA-70	NEC	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX32, 70ns, CMOS, DIMM-72

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