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MBRF745 PDF预览

MBRF745

更新时间： 2024-01-02 16:50:11
品牌 Logo 应用领域
TSC 二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
2页 82K
描述
Isolation 7.5 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers

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MBRF745 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.68其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.84 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：7.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：45 V最大反向电流：100 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

MBRF745 数据手册

 浏览型号MBRF745的Datasheet PDF文件第2页 
MBRF735 THRU MBRF7100  
Isolation 7.5 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers  
Voltage Range  
35 to 100 Volts  
Current  
7.5 Amperes  
ITO-220AC  
Features  
ꢀ
Plastic material used carries Underwriters Laboratory  
Classifications 94V-0  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Metal silicon rectifier, majority carrier conduction  
Low power loss, high efficiency  
High current capability, low forward voltage drop  
High surge capability  
For use in low voltage, high frequency inverters, free  
wheeling, and polarity protection applications  
Guardring for overvoltage protection  
ꢀ
ꢀ
High temperature soldering guaranteed:  
260oC/10 seconds,0.25”(6.35mm)from case  
Mechanical Data  
ꢀ
Cases: ITO-220AC molded plastic body  
Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method  
2026  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Polarity: As marked  
Mounting position: Any  
Mounting torque: 5 in. - lbs. max  
Weight: 0.08 ounce, 2.24 grams  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Rating at 25℃ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
Symbol MBRF MBRF MBRF MBRF MBRF MBRF  
Type Number  
Units  
735  
745  
750  
760  
790 7100  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
V
V
V
VRRM  
VRMS  
VDC  
35  
45  
50  
60  
90  
63  
90  
100  
24  
31  
35  
42  
70  
Maximum DC Blocking Voltage  
35  
45  
50  
60  
100  
Maximum Average Forward Rectified Current  
See Fig. 1  
I(AV)  
7.5  
15.0  
150  
A
A
A
A
Peak Repetitive Forward Current (Square Wave, 20KHz) at  
IFRM  
IFSM  
IRRM  
Tc=105oC  
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave  
Superimposed on Rated Load (JEDEC method )  
Peak Repetitive Reverse Surge Current (Note 1)  
1.0  
0.5  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at (Note 2)  
IF=7.5A,Tc=25℃  
–
0.75  
0.65  
–
0.92  
0.82  
–
IF=7.5A,Tc=125℃  
IF=15A,Tc=25℃  
IF=15A,Tc=125℃  
0.57  
0.84  
0.72  
VF  
V
--  
--  
Maximum Instantaneous Reverse Current @ Tc =25℃  
at Rated DC Blocking Voltage (Note 1) @ Tc=125℃  
0.1  
15.0  
0.5  
1,000  
0.1  
-
mA  
mA  
IR  
V/uS  
Voltage Rate of Change (Rated VR)  
10,000  
dV/dt  
℃/W  
pF  
Maximum Thermal Resistance, (Note 3)  
Typical Junction Capacitance  
7.0  
RθJC  
Cj  
350  
280  
200  
℃
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
Notes: 1. 2.0us Pulse Width, f=1.0 KHz  
TJ  
TSTG  
-65 to +150  
-65 to +175  
℃
2. Pulse Test: 300us Pulse Width, 1% Duty Cycle  
3. Mounted on Heatsink Size of 2 in x 3 in x 0.25in Al-plate.  
- 110 -  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBRF745/45-E3 VISHAY

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 		DIODE 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, PLASTIC, ITO-220AC, 2 PIN, Rectifie
MBRF745-E3 VISHAY

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 		DIODE 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, PLASTIC, ITO-220AC, 2 PIN, Rectifie
MBRF745-E3/45 VISHAY

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 		Schottky Barrier Rectifier
MBRF745HE3/45 VISHAY

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 		Schottky Barrier Rectifier
MBRF745-HE3/45 VISHAY

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 		Isolated 7.5AMP. Schottky Barrier Rectifiers
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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 7.5A, 50V V(RRM),
MBRF750/45-E3 VISHAY

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 		DIODE 7.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, PLASTIC, ITO-220AC, 2 PIN, Rectifie

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