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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MBRF20100CT
MBRF20100CT PDF预览

MBRF20100CT

更新时间： 2024-02-05 20:44:19
品牌 Logo 应用领域
TAK_CHEONG 整流二极管肖特基二极管高压局域网
页数 文件大小 规格书
4页 146K
描述
20A SCHOTTKY BARRIER DIODE Full Pack High Voltage Schottky Rectifier

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MBRF20100CT 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.14
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：PURE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

MBRF20100CT 数据手册

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TAK CHEONG®  
SEMICONDUCTOR  
20A SCHOTTKY BARRIER DIODE  
Full Pack High Voltage Schottky  
Rectifier  
1
Specification Features:  
2
3
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
High Voltage Wide Range Selection, 100V, 150V & 200V  
High Switching Speed Device  
Low Forward Voltage Drop  
TO-220FP  
DEVICE MARKING DIAGRAM  
Low Power Loss and High Efficiency  
Guard Ring for Over-voltage Protection  
High Surge Capability  
L = Tak Cheong Logo  
xxyy = Monthly Date Code  
Line 2 = MBRF  
Line 3 = 20xxxCT  
Line 4 = Polarity  
L xxyy  
Line 2  
Line 3  
Line 4  
RoHS Compliant  
Matte Tin(Sn) Lead Finish  
Terminal Leads Surface is Corrosion Resistant  
and can withstand to 260°C Wave Soldering or  
per MIL-STD-750, Method 2026.  
POLARITY CONFIGURATION  
1. Anode  
3. Anode  
2. Cathode  
MAXIMUM RATINGS (Per Leg, unless otherwise specified )  
Symbol  
Parameter  
MBRF20100CT  
MBRF20150CT  
MBRF20200CT  
Units  
VRRM  
VRWM  
VR  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
Maximum DC Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current  
Per Leg  
Per Package  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3mS Single Phase @ Rated Load  
100  
150  
200  
V
IF(AV)  
10  
20  
A
A
IFSM  
150  
TSTG  
TJ  
Storage Temperature Range  
-65 to +150  
+150  
°C  
°C  
Operating Junction Temperature  
These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Maximum Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Maximum Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (per leg)  
Value  
Units  
2.0  
60  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Per Diode )  
TA = 25°C unless otherwise noted  
MBRF20100CT MBRF20150CT  
MBRF20200CT  
Test Condition  
Symbol  
Parameter  
Units  
(Note 1)  
Min  
---  
Max  
200  
Min  
---  
Max  
200  
Min  
---  
Max  
200  
IR  
Reverse Current  
Forward Voltage  
@ rated VR  
IF = 10A  
μA  
0.85  
0.95  
0.92  
1.00  
1.00  
1.25  
VF  
---  
---  
---  
V
IF = 20A  
Note/s:  
1. Tested under pulse condition of 300μS.  
Number: DB-151  
March 2010, Revision D  
Page 1  
1234

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与MBRF20100CT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBRF20100CT_08 KEC

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 		SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
MBRF20100CT_15 DIODES

获取价格

 		20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBRF20100CT-4W KERSEMI

获取价格

 		Trench MOS Schottky technology
MBRF20100CTD DYELEC

获取价格

 		20 AMPERES SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
MBRF20100CT-E3 KERSEMI

获取价格

 		Trench MOS Schottky technology
MBRF20100CT-E3/45 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 10A, 100V V(RRM),
MBRF20100CT-E3/4W VISHAY

获取价格

 		Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier
MBRF20100CT-E3-4W VISHAY

获取价格

 		Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier
MBRF20100CTG ONSEMI

获取价格

 		SWITCHMODE Schottky Power Rectifier
MBRF20100CT-JT DIODES

获取价格

 		20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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