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MBRD650CTT4 PDF预览

MBRD650CTT4

更新时间： 2024-11-24 20:01:27
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 117K
描述
3A, 50V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE 369A-13, 3 PIN

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MBRD650CTT4 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.14Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.9 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：75 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：50 V最大反向电流：100 µA
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

MBRD650CTT4 数据手册

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by MBRD620CT/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
DPAK Surface Mount Package  
. . . in switching power supplies, inverters and as free wheeling diodes, these  
state–of–the–art devices have the following features:  
•
•
•
•
Extremely Fast Switching  
Extremely Low Forward Drop  
Platinum Barrier with Avalanche Guardrings  
Guaranteed Reverse Avalanche  
MBRD620CT, MBRD640CT and  
MBRD660CT are  
Motorola Preferred Devices  
Mechanical Characteristics:  
•
•
•
Case: Epoxy, Molded  
Weight: 0.4 gram (approximately)  
Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal Leads are  
Readily Solderable  
SCHOTTKY BARRIER  
RECTIFIERS  
6 AMPERES  
•
Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes: 260°C  
Max. for 10 Seconds  
20 TO 60 VOLTS  
•
•
Shipped 75 units per plastic tube  
Available in 16 mm Tape and Reel, 2500 units per reel, by adding a “T4’’  
suffix to the part number  
4
•
Marking: B620T, B630T, B640T, B650T, B660T  
1
1
3
4
CASE 369A–13  
PLASTIC  
3
MAXIMUM RATINGS  
MBRD  
620CT 630CT 640CT 650CT 660CT  
Rating  
Symbol  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
20  
30  
40  
50  
60  
Volts  
RRM  
RWM  
R
V
Average Rectified Forward Current  
Per Diode  
Per Device  
I
3
6
Amps  
Amps  
Amps  
F(AV)  
T
C
= 130°C (Rated V )  
R
Peak Repetitive Forward Current, T = 130°C  
(Rated V , Square Wave, 20 kHz) Per Diode  
R
I
6
C
FRM  
Nonrepetitive Peak Surge Current  
I
75  
FSM  
(Surge applied at rated load conditions halfwave, single phase, 60 Hz)  
Peak Repetitive Reverse Surge Current (2 µs, 1 kHz)  
Operating Junction Temperature  
I
1
Amp  
°C  
RRM  
T
J
–65 to +150  
–65 to +175  
10000  
Storage Temperature  
T
stg  
°C  
Voltage Rate of Change (Rated V )  
R
dv/dt  
V/µs  
THERMAL CHARACTERISTICS PER DIODE  
Maximum Thermal Resistance, Junction to Case  
Maximum Thermal Resistance, Junction to Ambient (1)  
R
R
6
°C/W  
°C/W  
θJC  
80  
θJA  
(1) Rating applies when surface mounted on the minimum pad size recommended.  
SWITCHMODE is a trademark of Motorola, Inc.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Rev 1  
Motorola, Inc. 1996  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBRD650CT-T4 SENSITRON

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, TO-250AA, SIMILAR
MBRD650CTT4G ONSEMI

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 		SWITCHMODE Power Rectifiers
MBRD650CTTR INFINEON

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 		SCHOTTKY RECTIFIER 6 Amp
MBRD650CTTRL INFINEON

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