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MBRD20U200CT

更新时间： 2022-02-26 13:11:13
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KEC /
页数 文件大小 规格书
2页 352K
描述
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE

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MBRD20U200CT 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
MBRD20U200CT  
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE  
TECHNICAL DATA  
SWITCHING MODE POWER SUPPLY APPLICATION.  
CONVERTER & CHOPPER APPLICATION.  
FEATURES  
A
C
K
DIM MILLIMETERS  
· Average Output Rectified Current  
: IO=20A.  
L
D
B
_
A
B
C
D
E
6.60 + 0.20  
_
6.10+0.20  
_
5.34 + 0.30  
· Repetitive Peak Reverse Voltage  
: VRRM=200V.  
_
0.70+0.20  
_
2.70 + 0.15  
_
2.30+0.10  
F
0.96 MAX  
0.90 MAX  
G
H
J
· Fast Reverse Recovery Time : trr=35ns.  
H
J
_
1.80+0.20  
E
_
2.30+0.10  
K
L
G
N
_
0.50 + 0.10  
_
F
F
M
M
N
O
0.50+0.10  
0.70 MIN  
0.1 MAX  
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)  
1
2
3
1. ANODE  
2. CATHODE  
3. ANODE  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
VRRM  
RATING  
200  
UNIT  
V
O
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Average Output Rectified  
Current (Note)  
IO  
20  
A
A
DPAK (1)  
Peak One Cycle Surge Forward  
Current (Non-Repetitive 60Hz)  
IFSM  
150  
Tj  
Junction Temperature  
-40∼ 150  
-55∼ 150  
℃
℃
Tstg  
Storage Temperature Range  
CATHODE  
2
Note : average forward current of centertap full wave connection.  
1
3
ANODE ANODE  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
VFM  
TEST CONDITION  
IFM=10A  
MIN.  
-
TYP.  
-
MAX.  
0.95  
UNIT  
Peak Forward Voltage  
(Note)  
V
Repetitive Peak  
Reverse Current  
IRRM  
VRRM=Rated  
-
-
50  
㎂
(Note)  
(Note)  
trr  
Reverse Recovery Time  
Thermal Resistance  
IF=1.0A, di/dt=-30A/㎲  
-
-
-
-
35  
6
ns  
Rth(j-c)  
(Note)  
Junction to Case  
℃/W  
Note : A value of one cell  
2016. 04. 29  
Revision No : 0  
1/2  
12

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