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MBRD2060CT PDF预览

MBRD2060CT

更新时间： 2024-01-13 21:00:33
品牌 Logo 应用领域
THINKISEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 533K
描述
20.0 Amperes Surface Mount Common Cathode Schottky Barrier Half Bridge Rectifiers

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MBRD2060CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：DPAK-3/2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.68其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.8 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：120 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：60 V
最大反向电流：1000 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBRD2060CT 数据手册

 浏览型号MBRD2060CT的Datasheet PDF文件第2页 
MBRD2045CT thru MBRD20200CT  
MBRD2045CT/MBRD2060CT/MBRD20100CT/MBRD20200CT  
Pb Free Plating Product  
20.0 Amperes Surface Mount Common Cathode Schottky Barrier Half Bridge Rectifiers  
TO-252/DPAK  
Unit : inch (mm)  
Features  
(
)
)
(
)
)
.264 6.7  
(
.248 6.3  
.098 2.5  
ꢀ MBR matured technology with high reliablity  
(
.082 2.1  
ꢀ Low forward voltage drop  
ꢀ High current capability  
ꢀ Low reverse leakage current  
ꢀ High surge current capability  
Application  
(
)
)
.024 0.6  
(
)
)
.216 5.5  
(
.016 0.4  
(
.200 5.1  
4
Automotive Inverters/Solar Inverters  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Plating Power Supply,SMPS and UPS  
Car Audio Amplifiers and Sound Device Systems  
(
)
)
.106 2.7  
2
(
.090 2.3  
1
3
Mechanical Data  
ꢀ Case: DPAK/TO-252-2L outline  
ꢀ Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant  
(
.02 .5  
)
)
(
)
)
.032 0.8  
(
.012 0.3  
(
.09 .09  
.071 1.8  
( )  
.051 1.3  
(
) (  
2.3 2.3  
)
ꢀ
method 208  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202  
4
ꢀ Polarity: As marked on diode body  
ꢀ Mounting position: Any  
ꢀ Weight: 0.35 gram approximately  
4
4
4
Doubler  
Tandem Polarity Tandem Polarity  
Suffix "CTD" Suffix "CTS"  
Series  
Negative  
Positive  
Common Cathode Common Anode  
Suffix "CT" Suffix "CTA"  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
MBRD2045CT MBRD2060CT MBRD20100CT MBRD20200CT  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
45  
31  
45  
60  
42  
60  
100  
70  
200  
140  
200  
V
V
V
A
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forward rectified current  
IF(AV)  
20  
20  
Peak repetitive forward current  
(Rated VR, Square Wave, 20KHz)  
IFRM  
A
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
IRRM  
150  
A
A
Peak repetitive reverse surge current (Note 1)  
1
0.5  
Maximum instantaneous forward voltage (Note 2)  
IF=10A, TJ=25℃  
-
0.80  
0.70  
0.95  
0.85  
0.85  
0.75  
0.95  
0.85  
0.99  
0.87  
1.23  
1.10  
IF=10A, TJ=125℃  
VF  
0.57  
0.84  
0.72  
V
IF=20A, TJ=25℃  
IF=20A, TJ=125℃  
0.1  
Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃  
TJ=125 ℃  
IR  
mA  
15  
10  
5
0.15  
Voltage rate of change (Rated VR)  
Typical thermal resistance  
10000  
dV/dt  
RθJC  
TJ  
V/μs  
°C/W  
°C  
5.5  
6.0  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
- 55 to +150  
- 55 to +150  
TSTG  
°C  
Note 1: tp = 2.0 μs, 1.0KHz  
Note 2: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle  
Rev.08T  
© 1995 Thinki Semiconductor Co., Ltd.  
Page 1/2  
http://www.thinkisemi.com.tw/  
12

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