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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MBRB25H45CTHE3
MBRB25H45CTHE3 PDF预览

MBRB25H45CTHE3

更新时间： 2024-02-20 16:52:08
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 174K
描述
Schottky Rectifier, 2 x 15 A

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MBRB25H45CTHE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.71其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.74 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：45 V最大反向电流：100 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

MBRB25H45CTHE3 数据手册

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VS-MBRB25..CTPbF, VS-MBR25..CT-1PbF Series  
Vishay High Power Products  
Schottky Rectifier, 2 x 15 A  
VS-MBR25..CT-1PbF  
FEATURES  
• 150 °C TJ operation  
VS-MBRB25..CTPbF  
• Center tap D2PAK and TO-262 packages  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
Base  
common  
cathode  
Base  
common  
cathode  
2
2
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC  
• AEC-Q101 qualified  
2
2
1
1
3
3
Common  
cathode  
Common  
cathode  
Anode  
Anode  
Anode  
Anode  
D2PAK  
TO-262  
DESCRIPTION  
This center tap Schottky rectifier has been optimized for low  
reverse leakage at high temperature. The proprietary barrier  
technology allows for reliable operation up to 150 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
PRODUCT SUMMARY  
IF(AV)  
2 x 15 A  
VR  
35 V/45 V  
40 mA at 125 °C  
IRM  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
IFRM  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
Rectangular waveform (per device)  
TC = 130 °C (per leg)  
VALUES  
30  
UNITS  
A
30  
35/45  
1060  
V
A
tp = 5 μs sine  
30 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
VF  
0.73  
V
TJ  
- 65 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VS-MBRB2535CTPbF  
VS-MBR2535CT-1PbF  
VS-MBRB2545CTPbF  
VS-MBR2545CT-1PbF  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
35  
45  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
IF(AV)  
IFRM  
TEST CONDITIONS  
TC = 130 °C, rated VR  
VALUES  
UNITS  
per leg  
15  
30  
30  
Maximum average  
forward current  
per device  
Peak repetitive forward current per leg  
Rated VR, square wave, 20 kHz, TC = 130 °C  
Following any rated load  
5 μs sine or 3 μs  
A
condition and with rated  
rect. pulse  
1060  
VRRM applied  
Non-repetitive peak surge current  
IFSM  
Surge applied at rated load conditions halfwave,  
single phase, 60 Hz  
150  
16  
2
Non-repetitive avalanche energy per leg  
Repetitive avalanche current per leg  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 2 A, L = 8 mH  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
Document Number: 94308  
Revision: 16-Mar-10  
For technical questions, contact: diodestech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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