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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MBR540MFST3G
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MBR540MFST3G

更新时间： 2024-01-20 07:36:24
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管开关光电二极管瞄准线功效
页数 文件大小 规格书
5页 111K
描述
SWITCHMODE Power Rectifiers

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MBR540MFST3G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SO-8FL, DFN6, 6 PIN针数：5
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：4 weeks风险等级：5.67
Is Samacsys：N其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.58 V
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：5最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大重复峰值反向电压：40 V
最大反向电流：2000 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

MBR540MFST3G 数据手册

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MBR540MFS, NRVB540MFS  
SWITCHMODE  
Power Rectifiers  
These state−of−the−art devices have the following features:  
• Low Power Loss / High Efficiency  
• New Package Provides Capability of Inspection and Probe After  
http://onsemi.com  
Board Mounting  
• Guardring for Stress Protection  
SCHOTTKY BARRIER  
RECTIFIERS  
• Low Forward Voltage  
• 175°C Operating Junction Temperature  
• NRVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
5 AMPERES  
40 VOLTS  
• These are Pb−Free and Halide−Free Devices  
5,6  
1,2,3  
Mechanical Characteristics:  
• Case: Epoxy, Molded  
MARKING  
DIAGRAM  
• Lead Finish: 100% Matte Sn (Tin)  
• Lead and Mounting SurfaceTemperature for Soldering Purposes:  
A
C
C
260°C Max. for 10 Seconds  
1
A
A
B540  
AYWZZ  
• Device Meets MSL 1 Requirements  
SO−8 FLAT LEAD  
CASE 488AA  
STYLE 2  
Not Used  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
B540  
A
Y
W
ZZ  
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Lot Traceability  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
V
RRM  
RWM  
V
R
40  
5
Average Rectified Forward Current  
I
A
A
F(AV)  
(Rated V , T = 165°C)  
R
C
Peak Repetitive Forward Current,  
(Rated V , Square Wave,  
20 kHz, T = 165°C)  
I
10  
FRM  
R
ORDERING INFORMATION  
C
Device  
Package  
Shipping†  
Non−Repetitive Peak Surge Current  
(Surge Applied at Rated Load  
Conditions Halfwave, Single  
Phase, 60 Hz)  
I
150  
A
FSM  
MBR540MFST1G  
SO−8 FL  
(Pb−Free)  
1500 /  
Tape & Reel  
MBR540MFST3G  
SO−8 FL  
(Pb−Free)  
5000 /  
Tape & Reel  
Storage Temperature Range  
T
−65 to +175  
−40 to +175  
40  
°C  
°C  
mJ  
stg  
Operating Junction Temperature  
T
J
NRVB540MFST1G SO−8 FL  
(Pb−Free)  
1500 /  
Tape & Reel  
Unclamped Inductive Switching  
Energy (10 mH Inductor,  
Non−repetitive)  
E
AS  
NRVB540MFST3G SO−8 FL  
(Pb−Free)  
5000 /  
Tape & Reel  
ESD Rating (Human Body Model)  
ESD Rating (Machine Model)  
3B  
M4  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
June, 2013 − Rev. 0  
MBR540MFS/D  
12345

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MBR540MFST3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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