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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MBR4015LWTG
MBR4015LWTG PDF预览

MBR4015LWTG

更新时间： 2024-09-25 11:11:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管开关局域网
页数 文件大小 规格书
5页 144K
描述
SWITCHMODE Schottky Power Rectifier

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MBR4015LWTG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Lifetime Buy
零件包装代码：TO-247AD包装说明：R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.7
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：POWER外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.36 V
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：120 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：20 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：15 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

MBR4015LWTG 数据手册

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MBR4015LWT  
SWITCHMODEt  
Schottky Power Rectifier  
TO247 Power Package  
This device employs the Schottky Barrier principle in a large area  
metal−to−silicon power rectifier. Features epitaxial construction with  
oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low  
voltage, high frequency switching power supplies; free wheeling  
diodes and polarity protection diodes.  
http://onsemi.com  
SCHOTTKY BARRIER  
RECTIFIER  
40 AMPERES, 15 VOLTS  
Features  
• Highly Stable Oxide Passivated Junction  
• Guardring for Overvoltage Protection  
• Low Forward Voltage Drop  
1
2
3
• Dual Diode Construction; Terminals 1 and 3 May Be Connected for  
Parallel Operation at Full Rating.  
• Full Electrical Isolation without Additional Hardware  
• Pb−Free Package is Available*  
Mechanical Characteristics  
• Case: Molded Epoxy  
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in  
TO−247  
CASE 340L  
STYLE 2  
• Weight: 4.3 Grams (Approximately)  
1
2
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal  
Leads are Readily Solderable  
3
• Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes:  
260°C Max. for 10 Seconds  
MARKING DIAGRAM  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
15  
V
RRM  
RWM  
MBR4015LWT  
AYWWG  
V
R
Average Rectified Forward Current  
I
O
A
A
A
(At Rated V , T = 120°C)  
Per Leg  
Per Package  
20  
40  
R
C
Peak Repetitive Forward Current,  
(At Rated V , Square Wave,  
I
40  
FRM  
R
20 kHz, T = 95°C)  
Per Leg  
C
Non−Repetitive Peak Surge Current  
(Surge Applied at Rated Load  
Conditions Halfwave, Single Phase,  
60 Hz) Per Package  
I
120  
MBR4015LWT = Specific Device Code  
FSM  
A
Y
WW  
G
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Storage/Operating Case Temperature  
Operating Junction Temperature (Note 1)  
Voltage Rate of Change,  
T
stg  
, T  
C
−55 to +150  
−55 to +150  
10,000  
°C  
°C  
T
J
dv/dt  
V/ms  
ORDERING INFORMATION  
(Rated V , T = 25°C)  
R
J
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
Device  
Package  
Shipping  
MBR4015LWT  
MBR4015LWTG  
TO−247  
30 Units / Rail  
30 Units / Rail  
TO−247  
(Pb−Free)  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
March, 2010 − Rev. 9  
MBR4015LWT/D  
12345

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MBR4015LWTG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MBR4015LWT ONSEMI

完全替代

 SWITCHMODE Schottky Power Rectifier
STPS40L15CW STMICROELECTRONICS

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