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MBR2508 PDF预览

MBR2508

更新时间： 2024-10-01 20:49:47
品牌 Logo 应用领域
EIC 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 196K
描述
Bridge Rectifier Diode,

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MBR2508 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75Is Samacsys：N
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEBase Number Matches：1

MBR2508 数据手册

 浏览型号MBR2508的Datasheet PDF文件第2页 
www.eicsemi.com  
SILICON BRIDGE RECTIFIERS  
BR2500M - BR2510M  
BR50  
PRV : 50 - 1000 Volts  
Io : 25 Amperes  
0.728(18.50)  
0.688(17.40)  
FEATURES :  
1.130(28.70)  
1.120(28.40)  
0.570(14.50)  
0.530(13.40)  
0.685(16.70)  
0.618(15.70)  
* High current capability  
* High surge current capability  
* High reliability  
* Low reverse current  
* Low forward voltage drop  
* Pb / RoHS Free  
0.210(5.30)  
0.200(5.10)  
0.658(16.70)  
0.618(15.70)  
0.032(0.81)  
0.028(0.71)  
0.252(6.40)  
0.248(6.30)  
MECHANICAL DATA :  
f 0.100(2.50)  
0.090(2.30)  
* Case : Metal Case  
0.905(23.0)  
0.826(21.0)  
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant  
* Terminals : plated .25" (6.35 mm). Faston  
* Polarity : Polarity symbols marked on case  
* Mounting position : Bolt down on heat-sink with  
silicone thermal compound between bridge  
and mounting surface for maximum heat  
transfer efficiency.  
0.310(7.87)  
0.280(7.11)  
Metal Heatsink  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
* Weight : 17.1 grams  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
BR2500 BR2501 BR2502 BR2504 BR2506 BR2508 BR2510  
SYMBOL  
RATING  
UNIT  
M
M
M
M
M
M
M
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
25  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
VRRM  
VRMS  
VDC  
V
V
V
A
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
1000  
IF(AV)  
Maximum Average Forward Current Tc = 55°C  
Peak Forward Surge Current Single half sine wave  
Superimposed on rated load (JEDEC Method)  
Current Squared Time at t < 8.3 ms.  
IFSM  
300  
A
I2t  
VF  
A2S  
V
375  
1.1  
Maximum Forward Voltage per Diode at IF = 12.5 A  
10  
IR  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
Typical Thermal Resistance (Note 1)  
Ta = 25 °C  
mA  
mA  
°C/W  
°C  
200  
IR(H)  
Ta = 100 °C  
1.45  
RqJC  
TJ  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
- 40 to + 150  
- 40 to + 150  
TSTG  
°C  
Notes :  
1. Thermal Resistance from junction to case with units mounted on a 5" x 6" x 4.9" (12.8cm.x 15.2cm.x 12.4cm.) Al.-Finned Plate  
Page 1 of 2 Rev. 02 : March 24, 2005  
12

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与MBR2508相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR2508W HY

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 35A, 800V V(RRM), Silicon, MBRW, 4 PIN
MBR251 DCCOM

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 		TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
MBR2510 DCCOM

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 		TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
MBR2510 HY

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 		SILICON BRIDGE RECTIFIERS
MBR2510 GOOD-ARK

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 		SILICON BRIDGE RECTIFIERS
MBR25100 MCC

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 		25 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 100 Volts
MBR25100-BP MCC

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 25A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AC, TO-220
MBR25100CT KERSEMI

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 		Voltage Range 100 Volts Current 25.0 Amperes
MBR25100CT PANJIT

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 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
MBR25100CT BL Galaxy Electrical

获取价格

 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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