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MBR25150CT PDF预览

MBR25150CT

更新时间： 2024-02-22 12:05:05
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鲁光 - LGE 二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
2页 278K
描述
25.0AMP. Schottky Barrier Rectifiers

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MBR25150CT 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.67
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.9 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：150 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR25150CT 数据手册

 浏览型号MBR25150CT的Datasheet PDF文件第2页 
MBR2535CT-MBR25150CT  
25.0AMP. Schottky Barrier Rectifiers  
TO-220AB  
Features  
ꢀ
Plastic material used carries Underwriters Laboratory  
Classifications 94V-0  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Metal silicon junction, majority carrier conduction  
Low power loss, high efficiency  
High current capability, low forward voltage drop  
High surge capability  
For use in low voltage, high frequency inverters, free  
wheeling, and polarity protection applications  
Guardring for overvoltage protection  
High temperature soldering guaranteed:  
260oC/10 seconds,0.25”(6.35mm)from case  
ꢀ
ꢀ
Mechanical Data  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Cases: JEDEC TO-220AB molded plastic  
Polarity: As marked  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Mounting position: Any  
Mounting torque: 5 in. - lbs. max  
Weight: 0.08 ounce, 2.24 grams  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Rating at 25oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
MBR MBR MBR MBR MBR MBR MBR  
2535 2545 2550 2560 2590 25100 25150  
Symbol  
Type Number  
Units  
CT  
35  
24  
35  
CT  
45  
31  
45  
CT  
50  
35  
50  
CT  
60  
42  
60  
CT  
90  
63  
90  
CT  
CT  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
100 150  
70 105  
100 150  
V
V
V
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified Current at  
25  
25  
A
A
TC=130oC  
I(AV)  
IFRM  
Peak Repetitive Forward Current (Rated VR, Square  
Wave, 20KHz) at Tc=130oC  
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half  
Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC  
method )  
200  
A
A
IFSM  
IRRM  
Peak Repetitive Reverse Surge Current (Note 1)  
1.0  
0.5  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at (Note 2)  
IF=12.5A, Tc=25oC  
－
－
0.75  
0.65  
--  
0.85  
0.95  
0.92  
1.02  
0.98  
IF=12.5A, Tc=125oC  
0.75  
0.92  
0.88  
V
VF  
IF=25A, Tc=25oC  
0.82  
0.73  
0.2  
15  
IF=25A, Tc=125oC  
--  
Maximum Instantaneous Reverse Current @ Tc=25 oC  
0.2  
10  
0.1  
7.5  
0.1  
5
mA  
mA  
at R  
ated DC Blocking Voltage Per Leg @ Tc=125 oC  
IR  
(Note 2)  
Voltage Rate of Change, (Rated VR)  
Typical Junction Capacitance  
10,000  
V/uS  
pF  
dV/dt  
Cj  
600  
460  
oC/W  
M
aximum Thermal Resistance Per Leg (Note 3)  
1.0  
R
θJC  
TJ  
oC  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
-65 to +150  
-65 to +175  
oC  
T
STG  
1. 2.0us Pulse Width, f=1.0 KHz  
2. Pulse Test: 300us Pulse Width, 1% Duty Cycle  
3. Thermal Resistance from Junction to Case Per Leg, with Heatsink size (4”x6”x0.25”) Al-Plate.  
Notes:  
http://www.luguang.cn  
mail:lge@luguang.cn  
12

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