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MBR20H200CT-E3 PDF预览

MBR20H200CT-E3

更新时间： 2024-01-26 07:15:56
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
5页 403K
描述
DIODE 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

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MBR20H200CT-E3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.48
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.75 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：290 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

MBR20H200CT-E3 数据手册

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MBR20H200CT, MBRF20H200CT & SB20H200CT-1  
Vishay Semiconductors  
Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier  
Low Leakage Current 5.0 µA  
TO-220AB  
ITO-220AB  
Major Ratings and Characteristics  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
VF  
2 x 10 A  
200 V  
3
3
2
2
290 A  
1
1
MBRF20H200CT  
MBR20H200CT  
0.75 V  
175 °C  
TO-262AA  
Tj  
Features  
• Guarding for overvoltage protection  
• Low power loss, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
3
2
1
SB20H200CT-1  
PIN 1  
PIN 2  
CASE  
PIN 3  
• High frequency operation  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
Mechanical Data  
Typical Applications  
Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-262AA  
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating  
For use in high frequency inverters, free wheeling and  
polarity protection applications  
Terminals: Matte Tin plated (E3 Suffix) leads, solder-  
able per J-STD-002B and JESD22-B102D  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
Polarity: As marked  
Maximum Ratings  
(TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VRRM  
VRWM  
VDC  
MBR20H200CT  
Unit  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
Maximum DC blocking voltage  
200  
200  
200  
V
V
Maximum average forward rectified current  
Total device  
Per leg  
IF(AV)  
20  
10  
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load per leg  
Peak repetitive reverse current per leg at tp = 2 µs, 1 KHz  
IFSM  
290  
A
IRRM  
ERSM  
EAS  
1.0  
20  
20  
25  
A
Peak non-repetitive reverse surge energy per leg (8/20 µs waveform)  
Non-repetitive avalanche energy per leg at 25 °C, IAS = 2.0 A, L = 10 mH  
mJ  
mJ  
KV  
Electrostatic discharge capacitor voltage  
Human body model air discharge: C = 100 pF, R 0 1.5 kΩ  
Voltage rate of change (rated VR)  
VC  
dv/dt  
TJ, TSTG  
VAC  
10000  
- 65 to + 175  
1500  
V/µs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
V
From terminals to heatsink t = 1 minute  
Document Number 88786  
26-Aug-05  
www.vishay.com  
1
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与MBR20H200CT-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR20H200CT-E3/45 VISHAY

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 		Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier
MBR20H200FCT SIRECT

获取价格

 		Power Schottky Rectifier - 20Amp 200Volt
MBR20H200FCT COMCHIP

获取价格

 		Schottky Barrier Rectifiers
MBR20H35CT VISHAY

获取价格

 		Dual Schottky Barrier Rectifier
MBR20H35CT/45-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode
MBR20H35CT-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode
MBR20H35CTHE3/45 VISHAY

获取价格

 		DIODE 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
MBR20H45CT VISHAY

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 		Dual Schottky Barrier Rectifier
MBR20H45CT-E3/45 VISHAY

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 		Dual Common-Cathode Schottky Rectifier
MBR20H45CTHE3/45 VISHAY

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