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MBR20H200CT-E3

更新时间： 2024-01-15 13:34:58

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科盛美 - KERSEMI		二极管瞄准线功效局域网
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4页	1566K
描述
Guarding for overvoltage protection

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MBR20H200CT-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.48
Is Samacsys：	N	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	CATHODE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.75 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	290 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	Base Number Matches：	1

MBR20H200CT-E3 数据手册

MBR20H200CT, MBRF20H200CT & SB20H200CT-1

FEATURES

TO-220AB

ITO-220AB

• Guarding for overvoltage protection

• Low power loss, high efficiency

• Low forward voltage drop

• High frequency operation

• Solder dip 260 °C, 40 s

MBR20H200CT

TO-262AA

MBRF20H200CT

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency inverters, freewheeling and

polarity protection applications.

SB20H200CT-1

MECHANICAL DATA

PIN 1

PIN 2

CASE

Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-262AA

PIN 3

Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating

PRIMARY CHARACTERISTICS

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class

1A whisker test

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

V_F

2 x 10 A

200 V

290 A

0.75 V

175 °C

Mounting Torque: 10 in-lbs maximum

Polarity: As marked

T_J

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V_RRM

MBR20H200CT

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

Working peak reverse voltage

Maximum DC blocking voltage

200

V_RWM

V_DC

total device

Maximum average forward rectified current

per diode

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed

on rated load per diode

I_FSM

290

Peak repetitive reverse current per diode at t_p= 2 µs, 1 kHz

I_RRM

E_RSM

E_AS

1.0

Peak non-repetitive reverse surge energy per diode (8/20 µs waveform)

Non-repetitive avalanche energy per diode at 25 °C, I_AS= 2.0 A, L = 10 mH

Electrostatic discharge capacitor voltage

human body model air discharge: C = 100 pF, R 0 1.5 kΩ

V_C

Voltage rate of change (rated V_R)

dV/dt

T_J, T_STG

V_AC

10 000

- 65 to + 175

1500

V/µs

°C

Operating junction and storage temperature range

Isolation voltage (ITO-220AB only) from terminals to heatsink t = 1 minute

www.kersemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBR20H200CT-E3/45	VISHAY	获取价格	Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier
MBR20H200FCT	SIRECT	获取价格	Power Schottky Rectifier - 20Amp 200Volt
MBR20H200FCT	COMCHIP	获取价格	Schottky Barrier Rectifiers
MBR20H35CT	VISHAY	获取价格	Dual Schottky Barrier Rectifier
MBR20H35CT/45-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode
MBR20H35CT-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode
MBR20H35CTHE3/45	VISHAY	获取价格	DIODE 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
MBR20H45CT	VISHAY	获取价格	Dual Schottky Barrier Rectifier
MBR20H45CT-E3/45	VISHAY	获取价格	Dual Common-Cathode Schottky Rectifier
MBR20H45CTHE3/45	VISHAY	获取价格	Dual Common-Cathode Schottky Rectifier

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