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MBR2050FCT

更新时间： 2024-11-18 11:11:59

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强茂 - PANJIT		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
2页	90K
描述
20 AMPERES SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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MBR2050FCT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.32
Is Samacsys：	N	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	200 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	20 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	50 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MBR2050FCT 数据手册

MBR2040FCT~MBR20200FCT

20 AMPERES SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

20 Amperes

VOLTAGE

40 to 200 Volts

CURRENT

FEATURES

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O.

Flame Retardant Epoxy Molding Compound.

• Metal silicon junction, majority carrier conduction

• Low power loss, high efficiency.

• High current capability

• Guardring for overvlotage protection

• For use in low voltage,high frequency inverters

free wheeling , and polarlity protection applications.

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICALDATA

• Case: ITO-220AB molded plastic

.027(.67)

.022(.57)

• Terminals: solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: As marked.

• Mounting Position: Any

• Weight: 0.055 ounces, 1.5615 grams.

MAXIMUMRATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

MBR2040FCT MBR2045FCT MBR2050FCT MBR2060FCT MBR2080FCT MBR2090FCT MBR20100FCT MBR20150FCT MBR20200FCT

PARAMETER

SYMBOL

V_{R R M}

UNITS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

31.5

100

150

105

150

200

140

200

Maximum RMS Voltage

V_{R M}

Maximum DC Blocking Voltage

V^DC

100

Maximum Average Forward Current (See

fig.1)

I_F(AV)

Peak Forward Surge Current :8.3ms single

half sine-wave superimposed on rated

load(JEDEC method)

I_FSM

V_F

I_R

200

Maximum Forward Voltage at 10A, per leg

0.7

0.75

0.8

0.9

Maximum DC Reverse Current T_J=25 ^OC

0.05

at Rated DC Blocking Voltage T_J=125^O

Typical Thermal Resistance

^OC

R_θJC

Operating and Storage Junction

Temperature Range

^OC

-55 to

+ 150

T_J,T_STG

-65 to +175

Notes :

Both Bonding and Chip structure are available.

PAGE . 1

STAD-AUG.12.2009

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBR2050FCT-BP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 50V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC
MBR2050H	ASEMI	获取价格	Dual High-Voltage Schottky Rectifiers
MBR2050LCT	GXELECTRONICS	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR2050PT	LGE	获取价格	Schottky Barrier Rectifiers
MBR2050PT	TSC	获取价格	20.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers
MBR2050PT	BL Galaxy Electrical	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR2050RG	LEIDITECH	获取价格	Low power loss,high efficiency High surge capacity
MBR2060	JSMC	获取价格	SCHOTTKY BARRIER DIODE
MBR2060	ASEMI	获取价格	MBR2060Dual High-Voltage Schottky Rectifiers
MBR2060	MCC	获取价格	20 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 100 Volts

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