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MBR15-FCT200

更新时间： 2024-11-30 00:59:47
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扬杰 - YANGJIE /
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SCHOTTKY Diodes

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MBR15-FCT200 数据手册

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RoHS  
MBR1540FCT THRU MBR15200FCT  
COMPLIANT  
肖特基二极管SCHOTTKY Diodes  
■特征 Features  
● 耐正向浪涌电流能力高  
■外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark  
ITO-220AB  
High surge forward current capability  
● 低功耗，大电流  
Low Power loss, High efficiency  
.201(5.1)  
MAX  
.150(3.8)  
.421(10.7)  
MAX  
.102(2.6)  
.140(3.56)  
MAX  
DIA  
.128(3.25)  
.085(2.15)  
.626(15.9)  
.567(14.4)  
●
Io  
15.0A  
.177(4.5)  
MAX  
● VRRM  
40-200V  
PIN1  
2
3
.126(3.2)  
.08(2.1)  
.071(1.8)  
MAX  
.035(0.9)  
.559(14.2)  
.504(12.7)  
■用途 Applications  
●快速整流用  
MAX  
.116(2.95)  
.071(1.80)  
.031(0.80)  
MAX  
.116(2.95)  
.071(1.80)  
PIN1  
PIN1  
PIN3  
High speed switching  
CASE  
■极限值（绝对最大额定值）  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Limiting Values（Absolute Maximum Rating）  
MBR15-FCT  
参数名称  
Item  
反向重复峰值电压  
符号  
单位  
条件  
Conditions  
40  
40  
60  
60  
80  
80  
100 150 200  
100 150 200  
Symbol Unit  
V
RRM  
V
A
Repetitive Peak Reverse Voltage  
正弦半波60Hz，电阻负载，Tc(Fig.1)  
60HZ Half-sine wave, Resistance load, Tc(Fig.1)  
平均整流输出电流  
Average Rectified Output Current  
I
15  
o
正向（不重复）浪涌电流  
Surge(Non-repetitive)Forward  
Current  
正向浪涌电流的平方对电流浪  
涌持续  
时间的积分值  
60H 正弦波，一个周期，T =25℃  
Z
a
I
A
100  
41  
FSM  
60H sine wave, 1 cycle, T =25℃  
Z
a
1ms≤t＜8.3ms T =25℃,单个二极管  
j
2
2
1ms≤t＜8.3ms T =25℃,Rating  
I t  
A s  
j
of per diode  
Current Squared Time  
贮存温度  
Storage Temperature  
T
-55 ~ +150  
-55 ~ +150  
stg  
℃
℃
在正向直流条件下，没有施加反向压降，通电≤1  
（图示1）①  
IN DC Forward Mode-Forward Operations，  
without reverse bias, t ≤1 h (Fig. 1)①  
结温  
T
j
Junction Temperature  
■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定）  
Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified）  
MBR15-FCT  
参数名称  
Item  
符号  
Symbol  
单位  
Unit  
测试条件  
Test Condition  
40  
60  
80  
100  
150  
200  
正向峰值电压  
Peak Forward Voltage  
I FM =7.5A  
0.55 0.75  
0.85  
0.90  
0.95  
V
FM  
V
I
T =25℃  
0.1  
20  
RRM1  
a
反向峰值电流  
Peak Reverse Current  
VRM =VRRM  
mA  
I
T =100℃  
a
RRM2  
热阻  
结和壳之间  
Between junction and case  
℃/W  
2.0  
R
θJ-C  
Thermal Resistance  
备注  
NOTE  
■
①Meets the requirements of IEC 61215 Ed. 2 bypass diode thermal test.  
扬州扬杰电子科技股份有限公司  
www.21yangjie.com  
S-B090  
Rev.1.1, 29-Nov-14  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
12

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