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MBR10150

更新时间： 2024-01-16 19:08:39
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TSC /
页数 文件大小 规格书
2页 202K
描述
10.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers

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MBR10150 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.59
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.84 V
JEDEC-95代码：TO-277BJESD-30 代码：R-PDSO-F3
最大非重复峰值正向电流：180 A元件数量：1
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：150 V
最大反向电流：20 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

MBR10150 数据手册

 浏览型号MBR10150的Datasheet PDF文件第2页 
MBR1035 - MBR10150  
10.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers  
TO-220AC  
.185(4.70)  
.175(4.44)  
.055(1.40)  
.045(1.14)  
.412(10.5)  
MAX  
DIA  
.154(3.91)  
.148(3.74)  
.113(2.87)  
.103(2.62)  
.27(6.86)  
.23(5.84)  
Features  
.594(15.1)  
.587(14.9)  
ꢀ
Plastic material used carries Underwriters  
Laboratory Classifications 94V-0  
PIN1  
2
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Metal silicon junction, majority carrier conduction  
Low power loss, high efficiency  
.16(4.06)  
.14(3.56)  
.11(2.79)  
.10(2.54)  
High current capability, low forward voltage drop  
High surge capability  
.56(14.22)  
.53(13.46)  
For use in low voltage, high frequency inverters,  
free wheeling, and polarity protection applications  
Guardring for overvoltage protection  
.037(0.94)  
.027(0.68)  
ꢀ
ꢀ
High temperature soldering guaranteed:  
o
.025(0.64)  
.014(0.35)  
.205(5.20)  
.195(4.95)  
260 C/10 seconds,0.25”(6.35mm)from case  
PIN 1  
PIN 2  
Mechanical Data  
CASE  
ꢀ
ꢀ
Cases: JEDEC TO-220AC molded plastic body  
Terminals: Pure tin plated, lead free. solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
Dimensions in inches and (millimeters)  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Polarity: As marked  
Mounting position: Any  
Mounting torque: 5 in. - lbs. max  
Weight: 0.08 ounce, 2.24 grams  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
o
Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
MBR  
1035  
35  
MBR  
1045  
45  
MBR  
1050  
50  
MBR  
1060  
60  
MBR  
MBR  
MBR  
Symbol  
Type Number  
Units  
1090 10100 10150  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
90  
63  
90  
100  
70  
150  
105  
150  
V
V
V
24  
31  
35  
42  
Maximum DC Blocking Voltage  
35  
45  
50  
60  
100  
Maximum Average Forward Rectified Current  
o
10  
I(AV)  
IFRM  
IFSM  
IRRM  
A
A
at Tc=125 C  
Peak Repetitive Forward Current (Rated VR,  
o
32  
Square Wave, 20KHz) at Tc=125 C  
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half  
Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC  
method )  
150  
A
A
Peak Repetitive Reverse Surge Current (Note 1)  
1.0  
0.5  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at:  
o
1.05  
－
(Note 2)  
IF=10A, TC=25 C  
0.85  
0.71  
－
0.70  
0.57  
0.84  
0.72  
0.80  
o
V
IF=10A, TC=125 C  
VF  
0.70  
0.95  
0.85.  
o
－
IF=20A, TC=25 C  
o
－
－
I =20A, T =125 C  
F C  
Maximum Instantaneous Reverse Current  
o
@ Tc =25 C at Rated DC Blocking Voltage  
o
0.1  
0.1  
6.0  
mA  
mA  
IR  
@ Tc=125 C  
(Note 2)  
15  
10  
Voltage Rate of Change (Rated VR)  
Typical Junction Capacitance  
dV/dt  
10,000  
V/uS  
Cj  
500  
3.0  
pF  
o
Maximum Typical Thermal Resistance(Note 3)  
R
θJC  
C/W  
o
-65 to +150  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
TJ  
C
o
-65 to +175  
TSTG  
C
Notes: 1. 2.0us Pulse Width, f=1.0 KHz  
2. Pulse Test: 300us Pulse Width, 1% Duty Cycle  
3. Thermal Resistance from Junction to Case Per Leg with Heatsink Size of 2 in x 3 in x 0.25 in Al-Plate.  
Version: A06  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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