5秒后页面跳转
MBR-FCT25100 PDF预览

MBR-FCT25100

更新时间: 2022-02-26 10:29:36
品牌 Logo 应用领域
扬杰 - YANGJIE /
页数 文件大小 规格书
2页 143K
描述
SCHOTTKY Diodes

MBR-FCT25100 数据手册

 浏览型号MBR-FCT25100的Datasheet PDF文件第2页 
RoHS  
MBR2535FCT THRU MBR25200FCT  
COMPLIANT  
肖特基二极管SCHOTTKY Diodes  
特征 Features  
外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark  
耐正向浪涌电流能力高  
ITO-220AB  
High surge forward current capability  
低功耗,大电流  
.201(5.1)  
MAX  
.150(3.8)  
.102(2.6)  
DIA  
.421(10.7)  
MAX  
.140(3.56)  
MAX  
Low Power loss, High efficiency  
.128(3.25)  
.085(2.15)  
.626(15.9)  
.567(14.4)  
Io  
25.0A  
.177(4.5)  
MAX  
PIN1  
2
3
VRRM  
35-200V  
.126(3.2)  
.08(2.1)  
.071(1.8)  
MAX  
.035(0.9)  
.559(14.2)  
.504(12.7)  
用途 Applications  
MAX  
.116(2.95)  
.071(1.80)  
.031(0.80)  
MAX  
.116(2.95)  
.071(1.80)  
快速整流用  
PIN1  
PIN1  
PIN3  
High speed switching  
CASE  
Dimensions in inches and (millimeters)  
极限值(绝对最大额定值)  
Limiting ValuesAbsolute Maximum Rating)  
MBR-FCT  
2535 2545 2560 2580 251002515025200  
参数名称  
Item  
符号 单位  
Symbol Unit  
条件  
Conditions  
反向重复峰值电压  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
35  
45  
60  
80  
100  
150  
200  
VRRM  
V
A
A
正弦半60Hz电阻负载,Tc(Fig.1)  
60HZ Half-sine wave, Resistance load,  
Tc(Fig.1)  
平均整流输出电流  
Average Rectified Output Current  
Io  
25  
60HZ正弦波,一个周期,Ta=25℃  
60HZ sine wave, 1 cycle, Ta=25℃  
正向(不重复)浪涌电流  
Surge(Non-repetitive)Forward Current  
IFSM  
200  
正向浪涌电流的平方对电流浪涌持  
1mst8.3ms T =25,单个二极  
j
I2t  
A2s  
167  
时间的积分值  
Current Squared Time  
1mst8.3ms T =25,Rating  
j
of per diode  
贮存温度  
Storage Temperature  
Tstg  
Tj  
-55 ~ +150  
-55 ~ +150  
在正向直流条件下,没有施加反向压  
降,通电1h(图示1)①  
IN DC Forward Mode-Forward  
Operationswithout reverse bias, t 1  
h (Fig. 1)①  
结温  
Junction Temperature  
电特性 Ta=25℃ 除非另有规定)  
Electrical CharacteristicsTa=25Unless otherwise specified)  
最大值  
Max  
MBR-FCT  
参数名称  
Item  
符号  
Symbol  
单位  
Unit  
测试条件  
Test Condition  
2535 2545 2560 2580 251002515025200  
正向峰值电压  
Peak Forward Voltage  
I FM =12.5A  
0.7  
0.75  
0.85  
0.90  
0.95  
VFM  
V
T =25℃  
IRRM1  
0.1  
a
反向峰值电流  
Peak Reverse Current  
VRM =VRRM  
mA  
/W  
IRRM2  
T =100℃  
a
20  
热阻  
结和壳之间  
Between junction and case  
R
θJ-C  
2.0  
Thermal Resistance  
注  
NOTE  
Meets the requirements of IEC 61215 Ed. 2 bypass diode thermal test.  
扬州扬杰电子科技股份有限公司  
www.21yangjie.com  
S-B092  
Rev.1.1, 29-Nov-14  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  

与MBR-FCT25100相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MBR-FCT25150 YANGJIE SCHOTTKY Diodes

获取价格

MBR-FCT25200 YANGJIE SCHOTTKY Diodes

获取价格

MBR-FCT2535 YANGJIE SCHOTTKY Diodes

获取价格

MBR-FCT2545 YANGJIE SCHOTTKY Diodes

获取价格

MBR-FCT2560 YANGJIE SCHOTTKY Diodes

获取价格

MBR-FCT2580 YANGJIE SCHOTTKY Diodes

获取价格