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MBM29LV800T-12PFTR

更新时间： 2024-02-18 00:54:33

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
51页	1792K
描述
Flash, 1MX8, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48

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MBM29LV800T-12PFTR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	CAN ALSO BE CONFIGURABLE AS 512K X 16 ;100K PROGRAM/ERASE CYCLE MIN
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,15	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1-R
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	反向引出线：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.035 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

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与MBM29LV800T-12PFTR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29LV800T-12PFTR-X	FUJITSU	获取价格	Flash, 1MX8, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29LV800T-12PF-X	FUJITSU	获取价格	Flash, 1MX8, 120ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44
MBM29LV800T-12PN-X	FUJITSU	获取价格	Flash, 1MX8, 120ns, PDSO46, PLASTIC, SON-46
MBM29LV800T-12PR	FUJITSU	获取价格	1MX8 FLASH 3V PROM, 120ns, PDSO46
MBM29LV800TA	FUJITSU	获取价格	8M (1M X 8/512K X 16) BIT
MBM29LV800TA-12	FUJITSU	获取价格	8M (1M X 8/512K X 16) BIT
MBM29LV800TA-12PBT	FUJITSU	获取价格	Flash, 1MX8, 120ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48
MBM29LV800TA-12PBT-SF2	FUJITSU	获取价格	Flash, 1MX8, 120ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48
MBM29LV800TA-12PBT-SF2-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX16, 120ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48
MBM29LV800TA-12PF	FUJITSU	获取价格	Flash, 1MX8, 120ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44