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MBM29DL163TE-70TR

更新时间： 2024-11-24 21:13:31

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		光电二极管内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
75页	322K
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Flash, 1MX16, 70ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48

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MBM29DL163TE-70TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1-R, TSSOP48,.8,20
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.21	最长访问时间：	70 ns
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	8,31	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1-R
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
反向引出线：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	8K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20880-1E

FLASH MEMORY

CMOS

16M (2M × 8/1M × 16) BIT ^{Dual Operation}

MBM29DL16XTE/BE^-70/90/12

■ FEATURES

• 0.23 µm Process Technology

• Simultaneous Read/Write operations (dual bank)

Multiple devices available with different bank sizes (Refer to Table 1)

Host system can program or erase in one bank, then immediately and simultaneously read from the other bank

Zero latency between read and write operations

Read-while-erase

Read-while-program

• Single 3.0 V read, program, and erase

Minimizes system level power requirements

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

Part No.

V^CC= 3.3 V

MBM29DL16XTE/BE

+0.3 V

–0.3 V

—

Ordering Part No.

+0.6 V

–0.3 V

V^CC= 3.0 V

—

120

Max. Address Access Time (ns)

Max. CE Access Time (ns)

Max. OE Access Time (ns)

■ PACKAGES

48-pin plastic TSOP (I)

48-pin plastic FBGA

Marking Side

(FPT-48P-M20)

(FPT-48P-M19)

(BGA-48P-M11)

12 3 4 5 6 7...75

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与MBM29DL163TE-70TR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29DL163TE-70TR-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 70ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29DL163TE-90	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL163TE-90PBT	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL163TE-90PBT	FUJITSU	获取价格	Flash, 1MX16, 90ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48
MBM29DL163TE-90PBT-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 90ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48
MBM29DL163TE-90TN	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL163TE-90TR	FUJITSU	获取价格	Flash, 1MX16, 90ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29DL163TE-90TR	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL163TE-90TR-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 90ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29DL164BD	FUJITSU	获取价格	16M (2M x 8/1M x 16) BIT Dual Operation

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