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Datasheet > 消费电路 > 音频控制集成电路> MAX9796EBX+T
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MAX9796EBX+T

更新时间： 2024-01-07 12:20:17
品牌 Logo 应用领域
美信 - MAXIM 音频控制集成电路消费电路商用集成电路放大器信息通信管理
页数 文件大小 规格书
27页 359K
描述
2.3W, High-Power Class D Audio Subsystem with DirectDrive Headphone Amplifiers

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MAX9796EBX+T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：VFBGA, BGA36,6X6,20针数：36
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.75
Is Samacsys：N信道分离：75 dB
商用集成电路类型：VOLUME CONTROL CIRCUITJESD-30 代码：S-PBGA-B36
JESD-609代码：e3长度：3.06 mm
湿度敏感等级：1信道数量：2
功能数量：1端子数量：36
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VFBGA
封装等效代码：BGA36,6X6,20封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：0.67 mm子类别：Audio/Video Amplifiers
最大压摆率：21 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V表面贴装：YES
技术：BICMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：BALL
端子节距：0.5 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：3.06 mm
Base Number Matches：1

MAX9796EBX+T 数据手册

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2.3W, High-Power Class D Audio Subsystem  
with DirectDrive Headphone Amplifiers  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)  
2
(V  
= PV  
= CPV  
= 3.3V, GND = PGND = CPGND = 0V, SHDN = V , I C settings (INA gain = +20dB, INB gain = INC gain =  
DD  
DD  
DD  
DD  
0dB, volume setting = 0dB, mono path gain = 0dB, SHDN = 1, SSM = 1). Speaker load resistors (R  
OUT+ and OUT-, headphone load resistors are terminated to GND, unless otherwise noted. C1 = C2 = C3 = 1µF. T = T  
) are terminated between  
LSP  
to T  
,
A
MIN  
MAX  
unless otherwise noted. Typical values are at T = +25°C.) (Note 1)  
A
PARAMETER  
RECEIVER AMPLIFIER  
Output Offset Voltage  
SYMBOL  
CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
V
T
= +25°C  
1.8  
-62  
-67  
-63  
-66  
80  
mV  
OS  
A
MAX796  
Into shutdown  
Peak voltage, T  
=
A
Into mute  
+25°C, A-weighted,  
32 samples per  
second (Notes 3, 5)  
Click-and-Pop Level  
K
dB  
dB  
CP  
Out of shutdown  
Out of mute  
V
= 2.7V to 5.5V  
58  
DD  
f = 217Hz, 100mV  
ripple  
P-P  
80  
70  
62  
Power-Supply Rejection Ratio  
(Note 3)  
PSRR  
T
T
= +25°C  
= +25°C,  
A
f = 1kHz, 100mV  
ripple  
P-P  
f = 20kHz, 100mV  
ripple  
P-P  
R = 16Ω  
L
60  
50  
A
Output Power  
Gain  
P
mW  
dB  
%
OUT  
THD+N = 1%  
R = 32Ω  
L
A
3
V
R = 16Ω (V  
= 800mV  
, f = 1kHz)  
0.03  
0.024  
87  
L
OUT  
RMS  
Total Harmonic Distortion Plus  
Noise  
THD+N  
R = 32Ω (V  
= 800mV  
, f = 1kHz)  
L
OUT  
RMS  
BW = 20Hz to 20kHz  
A-weighted  
R = 16Ω, V  
800mV  
=
L
OUT  
Signal-to-Noise Ratio  
SNR  
SR  
dB  
(Note 3)  
RMS  
89  
Slew Rate  
0.3  
300  
V/µs  
pF  
Capacitive Drive  
C
L
HEADPHONE AMPLIFIERS  
Output Offset Voltage  
V
T
= +25°C  
1.8  
-61  
-65  
-60  
-64  
4
mV  
dB  
OS  
A
Into shutdown  
Into mute  
Peak voltage, T  
+25°C, A-weighted,  
32 samples per  
=
A
Click-and-Pop Level  
ESD Protection  
K
CP  
Out of shutdown  
Out of mute  
Contact  
second (Notes 2, 5)  
HP_  
kV  
Air  
8
V
= 2.7V to 5.5V  
58  
80  
DD  
f = 217Hz, 100mV  
ripple  
P-P  
80  
70  
62  
Power-Supply Rejection Ratio  
(Note 3)  
PSRR  
T
= +25°C  
dB  
A
f = 1kHz, 100mV  
ripple  
P-P  
f = 20kHz, 100mV  
ripple  
P-P  
4
_______________________________________________________________________________________  
1234567...27

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