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MAX9796EBX+T

更新时间： 2024-01-13 23:12:25
品牌 Logo 应用领域
美信 - MAXIM 音频控制集成电路消费电路商用集成电路放大器信息通信管理
页数 文件大小 规格书
27页 359K
描述
2.3W, High-Power Class D Audio Subsystem with DirectDrive Headphone Amplifiers

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MAX9796EBX+T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：VFBGA, BGA36,6X6,20针数：36
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.75
Is Samacsys：N信道分离：75 dB
商用集成电路类型：VOLUME CONTROL CIRCUITJESD-30 代码：S-PBGA-B36
JESD-609代码：e3长度：3.06 mm
湿度敏感等级：1信道数量：2
功能数量：1端子数量：36
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VFBGA
封装等效代码：BGA36,6X6,20封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：0.67 mm子类别：Audio/Video Amplifiers
最大压摆率：21 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V表面贴装：YES
技术：BICMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：BALL
端子节距：0.5 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：3.06 mm
Base Number Matches：1

MAX9796EBX+T 数据手册

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2.3W, High-Power Class D Audio Subsystem  
with DirectDrive Headphone Amplifiers  
MAX796  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)  
2
(V  
= PV  
= CPV  
= 3.3V, GND = PGND = CPGND = 0V, SHDN = V , I C settings (INA gain = +20dB, INB gain = INC gain =  
DD  
DD  
DD  
DD  
0dB, volume setting = 0dB, mono path gain = 0dB, SHDN = 1, SSM = 1). Speaker load resistors (R  
OUT+ and OUT-, headphone load resistors are terminated to GND, unless otherwise noted. C1 = C2 = C3 = 1µF. T = T  
) are terminated between  
LSP  
to T  
,
A
MIN  
MAX  
unless otherwise noted. Typical values are at T = +25°C.) (Note 1)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
SPEAKER AMPLIFIER  
T
T
= +25°C  
5.5  
23.5  
40  
A
Output Offset Voltage  
Click-and-Pop Level  
V
mV  
OS  
≤ T ≤ T  
MAX  
MIN  
A
Into shutdown  
-62  
-60  
-63  
-62  
70  
Peak voltage, T  
+25°C, A-weighted,  
32 samples per  
=
A
Out of shutdown  
Into mute  
K
dB  
CP  
second (Notes 3, 4)  
Out of mute  
V
= 2.7V to 5.5V  
48  
DD  
f = 217Hz, 100mV  
ripple  
P-P  
68  
60  
Power-Supply Rejection Ratio  
(Note 3)  
PSRR  
T = +25°C  
A
dB  
f = 1kHz, 100mV  
ripple  
P-P  
f = 20kHz, 100mV  
ripple  
P-P  
50  
R = 4Ω, V  
f = 1kHz  
= 5V,  
L
DD  
DD  
DD  
2300  
600  
THD+N = 1%,  
= +25°C  
R = 8Ω, V  
= 3.3V,  
= 5V,  
L
Output Power (Note 4)  
Current Limit  
P
mW  
OUT  
T
f = 1kHz  
A
R = 8Ω, V  
L
1300  
1.6  
f = 1kHz  
A
R = 8Ω,  
L
0.03  
P
= 800mW  
OUT  
Total Harmonic Distortion Plus  
Noise (Note 4)  
THD+N  
SNR  
f = 1kHz  
%
R = 4Ω,  
L
0.04  
81  
P
= 830mW  
OUT  
BW = 20Hz to 20kHz  
A-weighted  
V
= 1.8V  
,
OUT  
RMS  
Signal-to-Noise Ratio  
Output Frequency  
dB  
R = 8Ω (Note 3)  
L
84  
Fixed-frequency modulation (SSM = 0)  
1100  
f
kHz  
OSC  
1100  
30  
Spread-spectrum modulation (SSM = 1)  
P
= 470mW, f = 1kHz both channel  
OUT  
Efficiency  
Gain  
η
80  
12  
%
driven, L = 68µH in series with 8Ω load  
A
dB  
V
_______________________________________________________________________________________  
3
1234567...27

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