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MAS3132EG PDF预览

MAS3132EG

更新时间： 2024-09-25 20:06:03
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 236K
描述
Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F2, 3 PIN

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MAS3132EG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DFP
包装说明：R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.60风险等级：5.81
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS最大二极管电容：2 pF
二极管元件材料：SILICON二极管类型：MIXER DIODE
频带：VERY HIGH FREQUENCYJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MAS3132EG 数据手册

 浏览型号MAS3132EG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MAS3132EG的Datasheet PDF文件第3页 
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Switching Diodes  
MAS3132E  
Silicon epitaxial planar type  
Unit: mm  
For high-speed switching circuits  
+0.05  
–0.02  
+0.05  
0.10  
–0.02  
0.33  
3
■ Features  
•
Two elements are contained in one package, allowing high-  
density mounting  
Short reverse recovery time trr  
+0.05  
1
2
23  
–0.02  
0.40)(0.40)  
•
•
0 0.05  
05  
Small terminal capacitance Ct  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse voltage  
Maximum peak reverse voltage  
Symbol  
VR  
Ratin
Unit  
V
VM  
IF  
80  
V
1: Anode 1  
2: Anode 2  
Forward current  
Single  
100  
mA  
3: Cathode 1, 2  
SSSMini3-F1 Package  
Double  
150  
Peak forward current Sin
Double  
IFM  
225  
mA  
mA  
Marking Symbol: MU  
34
Non-repetitie peak Single  
forward surge curnt * ouble  
Junction empratur
orage teme  
IFSM  
500  
Internal Connection  
70  
3
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
to +150  
Noe) t = 1
*
1
2
■ Electricharacteristics Ta = 25°C 3°C  
Forward vo
Symbol  
Conditions  
IF = 100 mA  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
VF  
VR  
IR  
1.2  
Reverse voltage  
IR = 100 µA  
VR = 75 V  
80  
V
Reverse current  
100  
2
nA  
pF  
ns  
Terminal capacitance  
Reverse recovery time *  
Ct  
trr  
VR = 0 V, f = 1 MH
IF = 10 mA, VR = 6 V  
3
Irr = 0.1 IR , RL = 100 Ω  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring method for diodes.  
2. Absolute frequency of input and output is 100 MHz.  
3. : trr measurement circuit  
*
Bias Application Unit N-50BU  
Input Pulse  
tp  
Output Pulse  
trr  
tr  
t
10%  
IF  
t
A
90%  
VR  
Irr = 0.1 IR  
tp = 2 µs  
tr = 0.35 ns  
δ = 0.05  
IF = 10 mA  
VR = 6 V  
RL = 100 Ω  
Pulse Generator  
(PG-10N)  
Wave Form Analyzer  
(SAS-8130)  
Rs = 50 Ω  
Ri = 50 Ω  
Publication date: November 2003  
SKF00065BED  
1
123

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