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MAR9264C95LD

更新时间： 2024-01-01 18:50:23

品牌	Logo	应用领域
DYNEX		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	238K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 90ns, CMOS, LCC

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MAR9264C95LD 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LCC
包装说明：	QCCN,	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.7	最长访问时间：	90 ns
JESD-30 代码：	X-CQCC-N	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	8KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装形状：	UNSPECIFIED	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
最小待机电流：	2 V	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	QUAD	Base Number Matches：	1

MAR9264C95LD 数据手册

MA9264

Radiation Hard 8192x8 Bit Static RAM

Replaces June 1999 version, DS3692-6.0

DS3692-7.0 January 2000

The MA9264 64k Static RAM is configured as 8192x8 bits and

manufactured using CMOS-SOS high performance, radiation hard,

1.5µm technology.

Thedesignusesa6transistorcellandhasfullstaticoperationwith

noclockortimingstroberequired.Addressinputbuffersaredeselected

when chip select is in the HIGH state.

FEATURES

■ 1.5µm CMOS-SOS Technology

■ Latch-up Free

■ Fast Access Time 70ns Typical

■ Total Dose 10⁶Rad(Si)

■ Transient Upset >10¹¹Rad(Si)/sec

■ SEU 4.3 x 10^-11Errors/bitday

■ Single 5V Supply

See Application Note “Overview of the Dynex Semiconductor

Radiation Hard 1.5µm CMOS/SOS SRAM Range”.

Operation Mode CS CE OE WE

I/O

Power

■ Three State Output

Read

Write

D OUT

D IN

■ Low Standby Current 100µA Typical

■ -55°C to +125°C Operation

ISB1

ISB2

■ All Inputs and Outputs Fully TTL or CMOS

Output Disable

High Z

Compatible

Standby

High Z

■ Fully Static Operation

Figure 1: Truth Table

A12

A10 A0 A1 A2 A11

Figure 2: Block Diagram

1/15

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