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MAR9264C95N

更新时间: 2024-02-10 07:53:35
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DYNEX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 335K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 90ns, CMOS, DIE

MAR9264C95N 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIE
包装说明:DIE,Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.7最长访问时间:90 ns
JESD-30 代码:X-XUUC-N内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:8KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIE
封装形状:UNSPECIFIED封装形式:UNCASED CHIP
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

MAR9264C95N 数据手册

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