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MAR5114LS

更新时间： 2024-01-06 00:36:38
品牌 Logo 应用领域
DYNEX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 114K
描述
SRAM

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MAR5114LS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：QCCN, LCC24,.35SQ,40Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.74最长访问时间：135 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-XQCC-N24
JESD-609代码：e0内存密度：4096 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：4
端子数量：24字数：1024 words
字数代码：1000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：1KX4输出特性：3-STATE
封装主体材料：CERAMIC封装代码：QCCN
封装等效代码：LCC24,.35SQ,40封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER并行/串行：PARALLEL
电源：5 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：38535V;38534K;883S最大待机电流：0.002 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.035 mA标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子节距：1 mm
端子位置：QUAD总剂量：100k Rad(Si) V

MAR5114LS 数据手册

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MA5114  
Radiation hard 1024x4 Bit Static RAM  
Replaces June 1999 version, DS3591-4.0  
DS3591-5.0 January 2000  
The MA5114 4k Static RAM is configured as 1024 x 4 bits and  
manufactured using CMOS-SOS high performance, radiation hard,  
3µm technology.  
Thedesignusesa6transistorcellandhasfullstaticoperationwith  
noclockortimingstroberequired.Addressinputbuffersaredeselected  
when Chip Select is in the HIGH state.  
FEATURES  
■ 3µm CMOS-SOS Technology  
■ Latch-up Free  
■ Fast Access Time 90ns Typical  
■ Total Dose 106 Rad(Si)  
■ Transient Upset >1010 Rad(Si)/sec  
■ SEU <10-10 Errors/bitday  
■ Single 5V Supply  
Operation Mode CS WE  
I/O  
Power  
Read  
Write  
L
L
H
L
D OUT  
D IN  
ISB1  
■ Three State Output  
Standby  
H
X
High Z  
ISB2  
■ Low Standby Current 50µA Typical  
■ -55°C to +125°C Operation  
Figure 1: Truth Table  
■ All Inputs and Outputs Fully TTL or CMOS  
Compatible  
■ Fully Static Operation  
■ Data Retention at 2V Supply  
Figure 2: Block Diagram  
1/12  
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与MAR5114LS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MAR5114LSBAF DYNEX

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 		Standard SRAM, 1KX4, 135ns, CMOS, CQCC24,
MAR5114LSXXX MICROSEMI

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 		SRAM,
MAR5KP100AE3TR MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, RO
MAR5KP100ATR MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PL
MAR5KP100C MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA
MAR5KP100CA MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA
MAR5KP100CAE3 MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH
MAR5KP100CAE3TR MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH
MAR5KP100CATR MICROSEMI

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