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MAR5114LBBAF

更新时间: 2024-09-25 20:02:11
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DYNEX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 424K
描述
Standard SRAM, 1KX4, 135ns, CMOS, CQCC24

MAR5114LBBAF 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:QCCN, LCC24,.35SQ,40Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:135 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:S-XQCC-N24
JESD-609代码:e0内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
端子数量:24字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:1KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC24,.35SQ,40封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最大待机电流:0.0005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.016 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子节距:1 mm
端子位置:QUAD总剂量:100k Rad(Si) V
Base Number Matches:1

MAR5114LBBAF 数据手册

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