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MAR5114LS

更新时间: 2024-09-26 14:53:03
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 187K
描述
Standard SRAM, 1KX4, 135ns, CMOS, CQCC24

MAR5114LS 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:QCCN, LCC24,.35SQ,40Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:135 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:S-XQCC-N24
内存密度:4096 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4端子数量:24
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:1KX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:QCCN封装等效代码:LCC24,.35SQ,40
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535V;38534K;883S
最大待机电流:0.002 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.035 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:NO LEAD端子节距:1 mm
端子位置:QUAD总剂量:100k Rad(Si) V
Base Number Matches:1

MAR5114LS 数据手册

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