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MA786WK

更新时间： 2024-11-23 22:24:03
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 53K
描述
Silicon epitaxial planar type

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MA786WK 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.83Is Samacsys：N
其他特性：HIGH SPEED SWITCH配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.55 VJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3最大非重复峰值正向电流：1 A
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向恢复时间：0.002 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

MA786WK 数据手册

 浏览型号MA786WK的Datasheet PDF文件第2页 
Schottky Barrier Diodes (SBD)  
MA3X786D  
Silicon epitaxial planar type  
Unit : mm  
2.8 −+ 00..32  
For super-high speed switching circuit  
For small current rectification  
0.65 0.15  
1.5 −+ 00..2055  
0.65 0.15  
1
2
I Features  
•
•
•
3
Two MA3X786s are contained in one package (anode common)  
Allowing to rectify under (IF(AV) = 100 mA) condition  
Optimum for high-frequency rectification because of its short  
reverse recovery time (trr)  
•
Low VF (forward rise voltage), with high rectification efficiency  
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
0.1 to 0.3  
0.4 0.2  
Parameter  
Symbol  
VR  
Rating  
30  
Unit  
V
Reverse voltage (DC)  
1 : Cathode 1  
2 : Cathode 2  
3 : Anode 1, 2  
JEDEC : TO-236  
EIAJ : SC-59  
Repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
IFM  
30  
V
Single  
Double*2ꢀ  
300  
200  
100  
70  
mA  
Peak forward  
current  
Mini Type Package(3-pin)  
Marking Symbol: M3Y  
Single  
Double*2ꢀ  
IF(AV)  
mA  
A
Average forward  
current  
Internal Connection  
Non-repetitive peak forward  
IFSM  
1
1
surge current*  
1
2
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
125  
°C  
°C  
3
Tstg  
−55 to +125  
1
2
Note)  
*
*
:
The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine-wave (non-repetitive)  
: Value per chip  
I Electrical Characteristics Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse current (DC)  
Forward voltage (DC)  
Terminal capacitance  
Reverse recovery time*  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
15  
Unit  
µA  
V
IR  
VF  
Ct  
trr  
VR = 30 V  
IF = 100 mA  
0.55  
VR = 0 V, f = 1 MHz  
20  
2
pF  
ns  
IF = IR = 100 mA  
Irr = 10 mA, RL = 100 Ω  
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a  
human body and the leakage of current from the operating equipment.  
ꢀ
2. Rated input/output frequency: 250 MHz  
3. * : trr measuring circuit  
Bias Application Unit N-50BU  
Input Pulse  
tp  
Output Pulse  
trr  
tr  
t
10%  
IF  
t
A
90%  
VR  
Irr = 10 mA  
tp = 2 µs  
tr = 0.35 ns  
δ = 0.05  
IF = 100 mA  
IR = 100 mA  
RL = 100 Ω  
Pulse Generator  
(PG-10N)  
Rs = 50 Ω  
W.F.Analyzer  
(SAS-8130)  
Ri = 50 Ω  
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MA78751KAN MURATA

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 		CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 50V, X7R, 0.00075uF, SURFACE MOUNT, 0706, CHIP
MA78751KBN MURATA

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 		CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 50V, X7R, 0.00075uF, SURFACE MOUNT, 0706, CHIP
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MA78752ZBN MURATA

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 		CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 50V, X7R, 0.0075uF, SURFACE MOUNT, 0706, CHIP
MA787H PANASONIC

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, Silicon

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