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MA784TX

更新时间： 2024-11-20 19:02:51

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	32K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, Silicon,

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MA784TX 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.55 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.002 µs	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MA784TX 数据手册

Schottky Barrier Diodes (SBD)

2SK1606

MA784

Silicon epitaxial planer type

Unit : mm

For super high-speed switching circuit

For small current rectification

Cathode

Anode

■ Features

●

S-Mini type 2-pin package, enabling high-density mounting

I_F(AV)=100mA rectification possible

Fast reverse recovery time t_rr, optimum for high-frequency rectifica-

tion

●

Low V_F(forward voltage) with high rectification efficiency

0.4±0.1

1.7±0.1

2.5±0.2

■ Absolute Maximum Ratings (Ta= 25˚C)

Symbol

V_R

Parameter

Rating

Unit

1 : Anode

2 : Cathode

Reverse voltage (DC)

S-Mini Type Package (2-pin)

V_RRM

I_FM

Repetitive peak reverse voltage

Peak forward current

Marking Symbol : 2D

300

I_F(AV)

Average forward current

Non-repetitive peak forward surge current

Junction temperature

100

I_FSM*

T_j

125

˚C

Storage temperature

T_stg

– 55 to +150

˚C

* 50Hz sine wave, one-cycle wave, high value (non-repetitive)

■ Electrical Characteristics (Ta= 25˚C)

Parameter

Reverse current (DC)

Forward voltage (DC)

Terminal capacitance

Symbol

I_R

min

typ

max

Unit

µA

Condition

V_R= 30V

V_F

0.55

I_F=100mA

C_t

V_R= 0V, f=1MHz

I_F= I_R=100mA

Reverse recovery time

t_rr*

2.0

I_rr= 10mA , R_L=100Ω

Note 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on charge of a human body and leakage

from the equipment used.

2. Rated input/output frequency : 250MHz

3. * t_rrmeasuring circuit

Bias Insertion

Unit N-50BU

Input Pulse

Output Pulse

■ Marking

10%

90%

t =2µs

I =10mA

I =100mA

t =0.35ns

δ=0.05

I =100mA

R =100Ω

Pulse Generator

PG-10N

R =50Ω

W.F.Analyzer

SAS-8130

R =50Ω

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MA78511KAN	MURATA	获取价格	CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 50V, X7R, 0.00051uF, SURFACE MOUNT, 0706, CHIP
MA78511MBN	MURATA	获取价格	CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 50V, X7R, 0.00051uF, SURFACE MOUNT, 0706, CHIP
MA78511ZAN	MURATA	获取价格	CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 50V, X7R, 0.00051uF, SURFACE MOUNT, 0706, CHIP
MA78511ZBN	MURATA	获取价格	CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 50V, X7R, 0.00051uF, SURFACE MOUNT, 0706, CHIP
MA78512KBN	MURATA	获取价格	CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 50V, X7R, 0.0051uF, SURFACE MOUNT, 0706, CHIP
MA78512MAN	MURATA	获取价格	CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 50V, X7R, 0.0051uF, SURFACE MOUNT, 0706, CHIP
MA78512ZAN	MURATA	获取价格	CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 50V, X7R, 0.0051uF, SURFACE MOUNT, 0706, CHIP
MA78561K	MURATA	获取价格	Ceramic Capacitor, Ceramic, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, -/+15ppm/Cel TC, 0.00056uF, 0706,
MA78561KBN	MURATA	获取价格	CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 50V, X7R, 0.00056uF, SURFACE MOUNT, 0706, CHIP
MA78561ZAN	MURATA	获取价格	CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 50V, X7R, 0.00056uF, SURFACE MOUNT, 0706, CHIP

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