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MA4S111 PDF预览

MA4S111

更新时间： 2024-11-29 21:19:27
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 79K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI4-F1, 4 PIN

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MA4S111 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-F4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.81配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F4元件数量：2
端子数量：4最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大反向恢复时间：0.003 µs
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

MA4S111 数据手册

 浏览型号MA4S111的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MA4S111的Datasheet PDF文件第3页 
Switching Diodes  
MA4S111  
Silicon epitaxial planar type  
1.6 0.05  
1.0 0.05  
Unit: mm  
For switching circuits  
0.55 0.1  
4
3
■ Features  
•
•
•
Allowing high-density mounting  
Short reverse recovery time trr  
Small terminal capacitance Ct  
1
2
0.25 0.05  
0.10 0.03  
5˚  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse voltage  
Maximum peak reverse voltage  
Symbol  
VR  
Rating  
Unit  
V
80  
80  
VRM  
IF  
V
1: Anode 1  
2: Anode 2  
3: Cathode 2  
Forward current  
Single  
Double  
Single  
Double  
100  
mA  
75  
4: Cathode 1  
SSMini4-F1 Package  
Repetitive peak  
IFRM  
225  
mA  
Marking Symbol: M1B  
forward current  
170  
Junction temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
°C  
Internal Connection  
Operating ambient temperature  
Storage temperature  
Topr  
Tstg  
−30 to +85  
−55 to +150  
3
2
4
1
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Forward voltage  
Symbol  
Conditions  
IF = 100 mA  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
VF  
VR  
IR  
0.95  
1.2  
Reverse voltage  
IR = 100 µA  
VR = 75 V  
80  
V
Reverse current  
100  
2
nA  
pF  
ns  
Terminal capacitance  
Reverse recovery time *  
Ct  
trr  
VR = 0 V, f = 1 MHz  
0.6  
IF = 10 mA, VR = 6 V  
3
Irr = 0.1 IR , RL = 100 Ω  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring method for diodes.  
2. Absolute frequency of input and output is 100 MHz.  
3. : trr measurement circuit  
*
Bias Application Unit N-50BU  
Input Pulse  
tp  
Output Pulse  
trr  
tr  
t
10%  
IF  
t
A
90%  
VR  
Irr = 0.1 IR  
tp = 2 µs  
tr = 0.35 ns  
δ = 0.05  
IF = 10 mA  
VR = 6 V  
RL = 100 Ω  
Pulse Generator  
(PG-10N)  
Wave Form Analyzer  
(SAS-8130)  
Rs = 50 Ω  
Ri = 50 Ω  
Publication date: July 2004  
SKF00067AED  
1
123

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与MA4S111相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MA4S159 PANASONIC

获取价格

 		Silicon epitaxial planar type
MA4S713 PANASONIC

获取价格

 		Silicon epitaxial planar type
MA4SD01 PANASONIC

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.03A, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI4-F1, 4 PIN
MA4SD05X PANASONIC

获取价格

 		Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI4-F1, 4 PIN
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 		PIN Diodes for Microwave Switch Designs
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