MA121

更新时间： 2024-02-04 22:47:57

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Silicon epitaxial planar type

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MA121 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.79
配置：	SEPARATE, 3 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	3
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.003 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MA121 数据手册

Switching Diodes

MA6X121

Silicon epitaxial planar type

Unit : mm

2.8 −⁺0⁰.^.3²

I Features

0.65 0.15

1.5 −⁺0⁰.^.205⁵

0.65 0.15

•

Three-element contained in one package, allowing high-density

mounting

•

Short reverse recovery time t_rr

Small terminal capacitance, C_t

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Reverse voltage (DC)

Peak reverse voltage

Forward current (DC)^*

Symbol

Rating

Unit

V_R

0.1 to 0.3

0.4 0.2

V_RM

I_F

100

225

500

Peak forward current^*

I_FM

1 : Cathode 1

2 : Cathode 2

3 : Cathode 3

4 : Anode 3

5 : Anode 2

6 : Anode 1

Non-repetitive peak forward

I_FSM

1,2

surge current^*

Mini Type Package (6-pin)

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

Marking Symbol: M2D

Internal Connection

T_stg

−55 to +150

Note)

: Value for single diode

: t = 1 s

I Electrical Characteristics T_a= 25°C

Parameter

Reverse current (DC)

Forward voltage (DC)

Reverse voltage (DC)

Terminal capacitance

Reverse recovery time^*

Symbol

I_R

Conditions

Min

Typ

Max

100

1.2

Unit

V_R= 75 V

V_F

I_F= 100 mA

I_R= 100 µA

V_R

C_t

V_R= 0 V, f = 1 MHz

t_rr

I_F= 10 mA, V_R= 6 V

I_rr= 0.1 · I_R, R_L= 100 Ω

Note) 1. Rated input/output frequency: 100 MHz

2. * : t_rrmeasuring circuit

Bias Application Unit N-50BU

Input Pulse

t_p

Output Pulse

t_rr

t_r

10%

I_F

90%

V_R

I_rr= 0.1 · I_R

t_p= 2 µs

t_r= 0.35 ns

δ = 0.05

I_F= 10 mA

V_R= 6 V

R_L= 100 Ω

Pulse Generator

(PG-10N)

R_s= 50 Ω

W.F.Analyzer

(SAS-8130)

R_i= 50 Ω

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