5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 34页 | 526K |  |
| 描述 | ||
| 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection | ||
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.1.B.1 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.75 |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 1 MHz | JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 9.27 mm |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.33 mm | 串行总线类型： | MICROWIRE |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M93S56-RBN3T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
|
| M93S56-RBN3TG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
|
| M93S56-RBN3TP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
|
| M93S56-RBN6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
|
| M93S56-RBN6G | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
|
| M93S56-RBN6P | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
|
| M93S56-RBN6T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
|
| M93S56-RBN6TG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
|
| M93S56-RBN6TP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
|
| M93S56-RDS3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
