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M5M5V216ATP-85HW

更新时间: 2024-11-22 04:42:59
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 462K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 85ns, CMOS, PDSO44

M5M5V216ATP-85HW 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP44,.46,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:85 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
端子数量:44字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-20 °C
组织:128KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.000024 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.04 mA
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

M5M5V216ATP-85HW 数据手册

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