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M5M5256FP-45LL

更新时间： 2024-02-24 03:21:50

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三菱 - MITSUBISHI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	64K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, PDSO28

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技术参数
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M5M5256FP-45LL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOP, SOP28,.5	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	45 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e0	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP28,.5	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.055 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

M5M5256FP-45LL 数据手册

'97.4.7

MITSUBISHI LSIs

M5M5256DP,FP,VP,RV -45LL,-55LL,-70LL,

-45XL,-55XL,-70XL

262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM

POWER DOWN CHARACTERISTICS

(1) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 0~70°C, Vcc=5V±10%, unless otherwise noted)

Limits

Symbol

Parameter

Test conditions

Unit

Min

Typ Max

Vcc (PD)

Power down supply voltage

2.2V£VCC(PD)

2.2

VI (/S)

Chip select input /S

VCC(PD)

2V£VCC(PD)£2.2V

-LL

-XL

Vcc = 3V,/S³ Vcc-0.2V,

Other inputs=0~Vcc

(Note 7)

Icc (PD)

Power down supply current

0.05

(Note 8)

Note7: ICC (PD) = 1uA in case of Ta = 25°C

Note8: ICC (PD) = 0.2uA in case of Ta = 25°C

(2) TIMING REQUIREMENTS (Ta = 0~70°C, Vcc=5V±10%, unless otherwise noted )

Limits

Min Typ Max

Symbol

Unit

Parameter

Test conditions

tsu (PD)

trec (PD)

Power down set up time

Power down recovery time

tCR

(3) POWER DOWN CHARACTERISTICS

/S control mode

Vcc

4.5V

tsu (PD)

trec (PD)

2.2V

/S³ Vcc-0.2V

MITSUBISHI

ELECTRIC

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